嵌入高边栅极驱动集成的自举二极管

发布时间:2020/10/22 22:50:15 访问次数:1736

650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的自举二极管供电.

MASTERGAN1对低和高驱动部分具有UVLO保护,以防止功率开关在低效率或危险条件下工作,而交错时钟功能避免了交叉导通的出现.漏极电流(IDS(MAX))为10 A,3.3V到15V兼容输入,具有超温保护.主要用在开关电源,充电器和适配器,高压PFC,DC/DC和DC/AC转换器,UPS系统和太阳能电源.

主要特长

与我司原有产品相比，缩小约20％（体积比），实现了超小型化。

通过提高构成轻触开关零部件的加工精度和组装精度，实现了超小型化。

新型ＬＳ１６５　　　长2.6ｍｍ　×　宽1.4ｍｍ　×　高0.55ｍｍ

现有型号ＬＳ１６０　　　长2.8ｍｍ　×　宽1.6ｍｍ　×　高0.55ｍｍ

高防尘・高防水性能

簧片触点部为密封构造，可确保高防尘和高防水（相当于IP67等级）。

应对侧面压力的强化结构

通过将按压部内藏于产品内部，提高应对侧面压力的强度。

轻触开关，拥有独有的精密加工技术，实现了产品的小型化和薄型化，在全球智能手机的电源按压开关和音量控制轻触开关的市场份额具领先地位。

32位MCU逐渐取代低端的8位和16位产品，成为满足算力需求，支持联网通信、提高处理性能的核心部件。兆易创新把握时机，依托先进的Arm架构技术，从产品研发、体系布局、人才培养等方面同时入手，持续构建面向未来的MCU全生态。

在产品及其衍生生态领域，兆易创新自2011年与Arm公司合作以来，基于Arm架构研发布局了多条从低成本到高性能的MCU产品线，持续打造和完善基于Arm架构的产品矩阵。

公司推动最新的Cortex-M23、Cortex-M33内核向嵌入式设计的纵深领域拓展，推出了GD32这一中国最大的Arm MCU家族。迄今该系列产品以累计接近5亿颗的出货数量，超过2万家客户数量，共计27个系列360余款产品的应用覆盖率居同类产品中国市场占有率首位，覆盖了工业控制、消费电子、汽车周边等大多数终端应用领域，并积极向垂直市场拓展延伸。