3D封装技术上面努力着，在三星推出X－Cube时，全球主要的三家半导体代工厂均已经拥有3D或2．5D的封装技术了。前有台积电的CoWoS，Intel的Foveros，现在三星也公布了自家的3D封装技术X－Cube。显而易见的是，未来我们买到的电子产品中，使用3D封装技术的芯片比例会越来越高。

台积电的CoWoS封装是一项2．5D封装技术，它可以把多个小芯片封装到一个基板上，这项技术有许多优点，但主要优势是节约空间、增强芯片之间的互联性和功耗降低，AMD的Fury和Vega系列显卡就是使用这一技术把GPU和HBM显存封装在一起的，NVIDIA的高端Tesla计算卡也是用这种封装。

英特尔Foveros3D堆叠封装技术，可以通过在水平布置的芯片之上垂直安置更多面积更小、功能更简单的小芯片来让方案整体具备更完整的功能。

除了功能性的提升之外，Foveros技术对于产业来说最吸引的地方在于他可以将过去漫长的重新设计、测试、流片过程统统省去，直接将不同IP、不同工艺的各种成熟方案封装在一起，从而大幅降低成本并提升产品上市速度。

X－Cube 3D可大规模投产,三星的X－Cube意为拓展的立方体。不同于以往多个芯片平行封装，全新的X－Cube3D封装允许多枚芯片堆叠封装，使得成品芯片结构更加紧凑。而芯片之间的通信连接采用了TSV技术，而不是传统的导线。

技术已经可以将SRAM存储芯片堆叠到主芯片上方，以腾出更多的空间用于堆叠其他组件，目前该技术已经可以用于7nm甚至5nm制程工艺的产品线，也就是说离大规模投产已经十分接近。

三星封装将发展更多领域,TSV技术可以大幅减少芯片之间的信号路径，降低功耗的同时提高了传输的速率。该技术将会应用于最前沿的5G、AI、AR、HPC、移动芯片已经VR领域，这些领域也都是最需要先进封装工艺的地方。

至于芯片发展的路线，三星与各大芯片厂商保持一致，将会跳过4nm的制程工艺，直接选用3nm作为下一代产品的研发目标。目前三星计划和无晶圆厂的芯片设计公司继续合作，推进3D封装工艺在下一代高性能应用中的部署。

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