一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。

新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。

通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小，TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求，从而简化设计。

其他功能包括：在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”；另外，除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外，还有UVLO[3]检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性，能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

“模块化”Landungsbrücke“评估系统是为电机控制应用的评估和快速原型设计的。这一概念非常成功。“新评估版系列仅针对中国市场，我们对ST-Nucleo开发板的普及做出了反应，并为尖端电机控制提供了一个快速成型平台。

作为集成解决方案的cDriver™芯片是一个运动控制器和驱动器，位于一个封装中，可将数字信息转换为完美的物理运动。 TMC5160具有用于自动目标定位的复杂斜坡生成功能，可减轻处理器的实时计算负担，同时提供全面的保护和诊断功能。

TMC5160-EVAL-SHIELD现在可用于Nucleo电路板，是评估高度集成且高能效的芯片并缩短设计周期的理想选择。

8V97003在宽频率范围（171.875 MHz至18 GHz）、超低输出相位噪声（6GHz载波 20 kHz~100 MHz积分区域达到 -60.6dBc）和高输出功率的整个频率范围内，提供了业界最佳组合。宽频率范围帮助用户可以采用单个8V97003替代多个合成器模块，从而减少解决方案的占板面积和成本。

高输出功率消除了对外部驱动器的需求，从而进一步降低复杂性和总体功耗，同时做到不影响性能。超低输出相位噪声可实现出色的系统级信噪比（SNR）和矢量幅度误差（EVM），使其成为5G及其它无线应用的绝佳选择。作为高速数据转换器的参考时钟，8V97003通过改善SNR和无杂散动态范围（SFDR）来最大化系统性能。

8V97003现已量产，规格为7mm x 7mm、48引脚VFQFPN封装。

(素材：chinaaet.如涉版权请联系删除）