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电池路径阻抗补偿来缩短充电时间

发布时间:2020/8/28 21:38:38 访问次数:1389

bq2419x I2C 单节 USB/适配器充电器是高度集成的开关模式电池充电管理及系统功率路径管理器件,适用于各种平板电脑和其他便携式设备中所用的单节锂离子和锂聚合物电池。TI 的这些 USB/适配器充电器具有低阻抗功率路径,可优化开关模式工作效率、缩短电池充电时间,并延长放电阶段电池的使用时间。可充电、可进行系统设定的 I2C 串口,使 bq2419x USB/适配器充电器成为了真正灵活的解决方案。这些 TI 器件支持各种输入源,如标准 USB 主端口、USB 充电端口和大功率直流适配器。

bq24190-bq24193 特性 高效率 4.5A 开关模式充电器 2A 下充电效率为 92%, 4A 下为 90% 通过电池路径阻抗补偿来缩短充电时间 凭借 12mΩ 电池放电金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的最高电池放电效率,放电电流高达 9A 单输入 USB 兼容/适配器充电器 与 USB 电池充电器技术规格 1.2 兼容的 USB 主机或充电端口 D+/D- 检测 输入电压和电流限制支持 USB2.0 和 USB3.0 输入电流限制:100mA, 150mA, 500mA, 900mA, 1.2A, 1.5A, 2A 和 3A 输入工作电压范围:3.9V-17V 在 1.3A 同步升压转换器运行时的 5V USB OTG 电流为 1A 时升压效率为 93% 5V 窄 VDC (NVDC) 电源路径管理

3.0pF, 30A离散瞬态抑制二极管阵列采用紧凑型SOD232封装

Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布新推符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列系列,该系列产品经过优化,可保护敏感的电信端口免因静电放电 (ESD) 和雷击感应浪涌而受损。 SP4208系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)集成了低电容控向二极管和一个(单向保护)或两个(双向保护)雪崩击穿二极管。该系列产品可安全吸收高达30A浪涌电流和至少±30kV ESD,而不会出现性能减退。其具有低负载电容(3.0pF)和高浪涌防护能力,是保护以太网等电信端口和其他高速数据接口的理想选择。

SP4208系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括:

10/100/1000以太网

T1/E1/T3/E3.

USB 1.1/2.0,电源端口

仪表

医疗设备

计算机和外围设备

SP4208系列瞬态抑制二极管阵列将8V断态电压与低动态电阻相结合,支持在较高电压条件下运行的G.Fast。Littelfuse瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)直通型’设计可最大限度地减少信号失真和电压过冲,并简化印刷电路设计。

SP4208系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势:

8V标称断态电压支持更高的工作电压,这对高速接口而言是一个越来越重要的考虑因素。

低寄生电容(标称值为3.0pF)允许适量的带宽来启用高速以太网接口。

极低的动态电阻(标称值为0.4Ω)有助于确保在ESD事件中作出最快的响应。


(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

                

bq2419x I2C 单节 USB/适配器充电器是高度集成的开关模式电池充电管理及系统功率路径管理器件,适用于各种平板电脑和其他便携式设备中所用的单节锂离子和锂聚合物电池。TI 的这些 USB/适配器充电器具有低阻抗功率路径,可优化开关模式工作效率、缩短电池充电时间,并延长放电阶段电池的使用时间。可充电、可进行系统设定的 I2C 串口,使 bq2419x USB/适配器充电器成为了真正灵活的解决方案。这些 TI 器件支持各种输入源,如标准 USB 主端口、USB 充电端口和大功率直流适配器。

bq24190-bq24193 特性 高效率 4.5A 开关模式充电器 2A 下充电效率为 92%, 4A 下为 90% 通过电池路径阻抗补偿来缩短充电时间 凭借 12mΩ 电池放电金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的最高电池放电效率,放电电流高达 9A 单输入 USB 兼容/适配器充电器 与 USB 电池充电器技术规格 1.2 兼容的 USB 主机或充电端口 D+/D- 检测 输入电压和电流限制支持 USB2.0 和 USB3.0 输入电流限制:100mA, 150mA, 500mA, 900mA, 1.2A, 1.5A, 2A 和 3A 输入工作电压范围:3.9V-17V 在 1.3A 同步升压转换器运行时的 5V USB OTG 电流为 1A 时升压效率为 93% 5V 窄 VDC (NVDC) 电源路径管理

3.0pF, 30A离散瞬态抑制二极管阵列采用紧凑型SOD232封装

Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布新推符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列系列,该系列产品经过优化,可保护敏感的电信端口免因静电放电 (ESD) 和雷击感应浪涌而受损。 SP4208系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)集成了低电容控向二极管和一个(单向保护)或两个(双向保护)雪崩击穿二极管。该系列产品可安全吸收高达30A浪涌电流和至少±30kV ESD,而不会出现性能减退。其具有低负载电容(3.0pF)和高浪涌防护能力,是保护以太网等电信端口和其他高速数据接口的理想选择。

SP4208系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括:

10/100/1000以太网

T1/E1/T3/E3.

USB 1.1/2.0,电源端口

仪表

医疗设备

计算机和外围设备

SP4208系列瞬态抑制二极管阵列将8V断态电压与低动态电阻相结合,支持在较高电压条件下运行的G.Fast。Littelfuse瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)直通型’设计可最大限度地减少信号失真和电压过冲,并简化印刷电路设计。

SP4208系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势:

8V标称断态电压支持更高的工作电压,这对高速接口而言是一个越来越重要的考虑因素。

低寄生电容(标称值为3.0pF)允许适量的带宽来启用高速以太网接口。

极低的动态电阻(标称值为0.4Ω)有助于确保在ESD事件中作出最快的响应。


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