关断瞬间反向恢复特性起主要作用。当反向电压加在二极管两端时，PN 二极管的反向恢复特性由结内的载流子决定，这些迁移率受限的载流子需要从原来进入结内的反方向出去，从而构成了流过二极管的反向电流。与此相关的损耗可能会很大，在结区电荷被耗尽前，反向电压会迅速上升得很高，反向电流通过变压器反射到一次侧功率开关，增加了功率管的损耗。

类似的反向恢复特性也会出现在高电压肖特基整流器中，这一特性不是由载流子引起的，而是由于这类肖特基二极管具有较高的结电容所致。所谓高电压肖特基二极管就是它的反向击穿电压大于 60V。

输入输出滤波电容并不是开关电源的主要损耗源，尽管它们对电源的工作寿命影响很大。如果输入电容选择不正确的话，会使得电源工作时达不到它实际应有的高效率。

每个电容器都有与电容相串联的小电阻和电感。等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)是由电容器的结构所导致的寄生元件，它们都会阻碍外部信号加在内部电容上。电容器在直流工作时性能最好，但在电源的开关频率下性能会差很多。

输入输出电容是功率开关或输出整流器产生的高频电流的唯一来源(或储存处)，所以通过观察这些电流波形可以合理地确定流过这些电容 ESR 的电流。这个电流不可避免地在电容内产生热量。设计滤波电容的主要任务就是确保电容内部发热足够低，以保证产品的寿命。电容的 ESR 所产生的功率损耗的计算式。

电容模型中的电阻部分会引起问题，而且如果并联的电容器引出线不对称，引线电感会使电容内部发热不均衡，从而缩短温度最高的电容的寿命。

新的 mdmeshTM m6技术结合了对著名的、经过整合的 sjmosfets mdmesh 家族的最新进展。 意法半导体通过其新的 m6技术在上一代 mdmesh 设备的基础上进一步发展，该技术结合了优秀的 rds (on)每个区域的改进和可用的最有效的切换行为，以及用户友好的体验，以实现最大限度的最终应用效率。 减少了开关损耗降低了 rds (on)每个面积比上一代低栅输入电阻100% 雪崩保护的齐纳高爬电压封装由于额外的驱动源引脚，开关性能优异。

英飞凌1200V CIPOS™ Maxi 智能功率模块 IM818 和 IM828 全新系列在商空以及工业风机水泵的应用，而且将展示这两个新系列IPM在其他领域例如无人机，车载电子助力转向系统等的案例。

CIPOS™ Maxi 智能功率模块 IM818 和 IM828系列是1200V 智能功率模块中最紧凑的封装。IM818系列基于英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT技术，具有优秀的电气性能和散热性能。IM828系列采用英飞凌CoolSiC™ 全碳化硅技术，是业界第一款1200V 全碳化硅智能功率模块。

在高低频开关频率下，具有卓越的电气性能以及惊人的散热性能。 IM818 和 IM828智能功率模块将引导系统方案走向更高的功率密度和更小型化，并且拥有全碳化硅技术的IPM将是客户解决方案的新革命。

高云半导体GW1N系列FPGA产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代产品， 具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活 等特点。

用户闪存资源（GW1N-1)

用户闪存资源（GW1N-2/4/6/9）

支持多种I/O 电平标准

高性能DSP 模块

丰富的基本逻辑单元

支持多种模式的静态随机存储器

灵活的PLL资源

内置Flash 编程

编程配置模式

不连续传导模式

电感电流纹波超过平均电感电流时，开关电源进入不连续导通模式。相对电感电流纹波的值分别为200%或更大，电流的最小值为0A。二极管仿真的同步Buck变换器，其中电感电流也可能变为负，因为在非同步Buck调节器进入DCM的情况下，它仍保持在CCM中。对于SEPIC、Cuk和Zeta拓扑，DCM条件略有不同，因为这些拓扑包含两个电感。电感电流都有一个与输入和输出电流有关的偏移量。当两个偏移具有相同的绝对值且总和为零时，输入DCM。对于SEPIC、Cuk和Zeta转换器，DCM中的相对电感电流纹波也大于或等于200%，t3期间的电流将等于偏移值。