SMCJ78CATR-13开发安全和资产监控无线传感器网络的公司面临诸多技术挑战，而基于Web的智能传感器HDK能够协助解决。开发人员现在可以把标准化的主动RFID与其它的无线网络和GPS功能以及增强型感应功能融为一体，以充分利用内置的MEMS运动传感器、温度传感器和光线传感器的功能。基于Web的智能传感器HDK还可以延长电池的使用寿命，缩小产品的尺寸。

基于Web的智能传感器HDK包括样品板和一个Windows应用软件，用户可以通过应用软件为新的主动RFID产品快速设置传感器和无线通信功能。该开发平台还让用户在工业、医疗和交通用ISO 18000-7 主动RFID产品中整合自主开发的硬件和固件的功能，包括新的RFID命令和数据段。

VIPerPlus全系列产品均以一个封装内集成控制器、启动电路和一个800V抗雪崩的功率MOSFET。新的集成功能和高击穿电压有助于提高电源的耐用性和可靠性，减少外部元器件的数量，提供更高的工作能效和超低的待机功耗，在265V时待机功耗小于50mW；如果优化变压器设计，待机功耗可更降低至30mW。

其中的800V抗雪崩功率MOSFET是专门为VIPerPlus系列产品优化的。固定频率PWM控制器具有频率抖动技术，采用创新的准谐振拓扑，在最大化工作能效的同时，还能降低EMI滤波器成本。VIPerPlus系列拥有同类产品中最好的待机功耗，使客户的产品可以符合最严格的节能法规（能源之星、80+ 铜级、银级、金级认证），VIPerPlus系列的保护功能包括精确的可调过压和超载保护、滞后过热保护、两级过流保护和开环失效断开保护。

功率MOSFET晶体管，击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。

STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950V的击穿电压级别产品，此一新级别的产品特别适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。与竞争品牌的900V产品相比，意法半导体全新950V功率MOSFET的安全工作面积更大，可靠性更高。高压电源设计人员还可以使用一个 单一950V MOSFET取代双晶体管电路，从而简化电路设计，缩减尺寸，减少元器件数量。

此外，STx7N95K3系列的额定雪崩电流高于竞争产品，这个优势可确保产品能够承受高于击穿电压的电涌，因为过高的浪涌电流会烧毁器件。新产品的额定雪崩电流为9A，而实力最接近的竞争品牌的900V产品的额定雪崩电流大约只有1A。

除更强的耐高压能力外，STx7N95K3系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。

因为达成低栅电荷量(QG)和低本征电容，这些新的MOSFET还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代SuperMESH3技术。新产品采用工业标准封装：STF7N95K3采用 TO-220FP封装；STP7N95K3采用标准的TO-220封装；STW7N95K3采用TO-247封装。

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