VI-23Z-EV压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。 用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。

功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用。这些器件非常复杂，然而价格波动大。生产中高频低压的测试条件排除了通常阻碍晶圆级测试的功耗问题。也不存在次品器件昂贵的封装费用。已知良品芯片技术也可以应用于晶圆级测试中，它能够明显改进使用RF芯片的模块的良率。芯片制造商也可以利用晶圆级RF测试来提取各种高性能模拟和无线电路的品质因数。比如滤波器、混频器以及振荡器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望这种子电路测试技术能够降低总体的测试成本。130nm节点以下的高性能逻辑器件中，表征薄SiO2和高介电常数(high-k)栅介质的等效氧化层厚度(EOT)非常关键。RF测试在介电层的精确建模方面扮演了重要角色，它能够去除掉寄生元件，而这种寄生效应在传统的二元模型中将阻碍C-V数据的正确表示。中高频(MFCV,HFCV)电容测量技术不可能因为仪器而对测试引入串联阻抗。

RF测试专家需要对数据进行监控(跟踪每个测试系列的曲线等)，寻找奇怪的、或者意外的测量结果，然后分析这些结果以确认它们代表的是工艺的变化，而不是测量的异常。第三代参数测试仪通过改进逻辑方法使得持续监控RF测量成为现实，降低甚或消除了对于RF专家技术支持的需求。使用这些系统，不周生产层面的操作者能够通过大量的产品和生产设备获取可重复的、实时的测量结果。RF测试几乎和DC测试一样容易，它也成为完全表征晶圆器件时的必需之举。实际上，一套第三代系统可以同时进行DC和RF测试(见“RF测试的创新设计”)。纳米软件这个系统包含了许多其他的改进，以提高产能，使它在工艺监控的量产晶圆级测试方面更实用。这些特点加速了建模实验室的测量工作，同时又不降低测量结果的实验室级别，从而缩短了研发周期和进入市场的时间。所有这些都可以通过简单的系统升级实现，而不必购买专用的探针台。当校准规格存储到探针台后，操作流程与单纯的DC测试一样，只有在周期性的设备保养时才会变化。

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