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开关频率的低速电机和变速箱

发布时间:2020/3/30 21:37:16 访问次数:736

XC5206-6VQ100C处理的信号分为模拟滤波器和数字滤波器两种。

按所通过信号的频段分为低通、高通、带通和带阻滤波器四种。

低通滤波器:它允许信号中的低频或直流分量通过,抑制高频分量或干扰和噪声;

高通滤波器:它允许信号中的高频分量通过,抑制低频或直流分量;

带通滤波器:它允许一定频段的信号通过,抑制低于或高于该频段的信号、干扰和噪声;

带阻滤波器:它抑制一定频段内的信号,允许该频段以外的信号通过, 又称为陷波滤波器。

按所采用的元器件分为无源和有源滤波器两种。

转换效率和功率密度,在工业和新能源汽车等领域,系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅(Si)工艺的IGBT器件。替代目前仍然处于早期阶段,包括SiC功率模块及电力驱动总成,依然在借用原有的、继承自IGBT部件的构型设计。在新能源汽车电驱动系统中使用SiC MOSFET时,多数方案仍在沿用IGBT功率模块的封装形式,以及沿用较大体积的总线电容、水冷系统;在动力输出方面,则沿用了适配IGBT较低开关频率的低速电机和变速箱(特斯拉的Model3型新能源汽车甚至釆用了分立器件封装形式,而不是整合的功率模块封装)。束缚了整个动力驱动总成效率的提升,影响了SiC MOSFET性能优势的充分发挥。

中心频率(Center Frequency):滤波器通带的频率f0,一般取f0=(f1+f2)/2,f1、f2为带通或带阻滤波器左、右相对下降1dB或3dB边频点。窄带滤波器常以插损最小点为中心频率计算通带带宽。

截止频率(Cutoff Frequency):指低通滤波器的通带右边频点及高通滤波器的通带左边频点。通常以1dB或3dB相对损耗点来标准定义。相对损耗的参考基准为:低通以DC处插损为基准,高通则以未出现寄生阻带的足够高通带频率处插损为基准。

通带带宽(BWxdB):指需要通过的频谱宽度,BWxdB=(f2-f1)。f1、f2为以中心频率f0处插入损耗为基准,下降X(dB)处对应的左、右边频点。通常用X=3、1、0.5 即BW3dB、BW1dB、BW0.5dB 表征滤波器通带带宽参数。分数带宽(fractional bandwidth)=BW3dB/f0×100[%],也常用来表征滤波器通带带宽。

深圳市创芯联盈电子有限公司http://cxly.51dzw.com/

(素材来源:analog.如涉版权请联系删除。特别感谢)

XC5206-6VQ100C处理的信号分为模拟滤波器和数字滤波器两种。

按所通过信号的频段分为低通、高通、带通和带阻滤波器四种。

低通滤波器:它允许信号中的低频或直流分量通过,抑制高频分量或干扰和噪声;

高通滤波器:它允许信号中的高频分量通过,抑制低频或直流分量;

带通滤波器:它允许一定频段的信号通过,抑制低于或高于该频段的信号、干扰和噪声;

带阻滤波器:它抑制一定频段内的信号,允许该频段以外的信号通过, 又称为陷波滤波器。

按所采用的元器件分为无源和有源滤波器两种。

转换效率和功率密度,在工业和新能源汽车等领域,系统设计师们逐步开始采用SiC器件替代传统的、基于硅(Si)工艺的IGBT器件。替代目前仍然处于早期阶段,包括SiC功率模块及电力驱动总成,依然在借用原有的、继承自IGBT部件的构型设计。在新能源汽车电驱动系统中使用SiC MOSFET时,多数方案仍在沿用IGBT功率模块的封装形式,以及沿用较大体积的总线电容、水冷系统;在动力输出方面,则沿用了适配IGBT较低开关频率的低速电机和变速箱(特斯拉的Model3型新能源汽车甚至釆用了分立器件封装形式,而不是整合的功率模块封装)。束缚了整个动力驱动总成效率的提升,影响了SiC MOSFET性能优势的充分发挥。

中心频率(Center Frequency):滤波器通带的频率f0,一般取f0=(f1+f2)/2,f1、f2为带通或带阻滤波器左、右相对下降1dB或3dB边频点。窄带滤波器常以插损最小点为中心频率计算通带带宽。

截止频率(Cutoff Frequency):指低通滤波器的通带右边频点及高通滤波器的通带左边频点。通常以1dB或3dB相对损耗点来标准定义。相对损耗的参考基准为:低通以DC处插损为基准,高通则以未出现寄生阻带的足够高通带频率处插损为基准。

通带带宽(BWxdB):指需要通过的频谱宽度,BWxdB=(f2-f1)。f1、f2为以中心频率f0处插入损耗为基准,下降X(dB)处对应的左、右边频点。通常用X=3、1、0.5 即BW3dB、BW1dB、BW0.5dB 表征滤波器通带带宽参数。分数带宽(fractional bandwidth)=BW3dB/f0×100[%],也常用来表征滤波器通带带宽。

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