GMS81C1408-HG051 双极结型晶体管额定电压时的能力
发布时间:2020/3/6 21:25:20 访问次数:880
0253.500NRT1L 规格信息:标准包装:5,000
类别:电路保护
家庭:保险丝
系列:PICO® II 253
包装:带卷(TR)
GMS81C1408-HG051保险丝类型:板安装(不包括管筒式)
额定电流:500mA
额定电压 - AC:125V
额定电压 - DC:125V
响应时间:快速
封装/外壳:轴向
安装类型:通孔
不同额定电压时的熔断能力:50A AC,300A DC
融断 I2t:0.0598
认可:CCC,CSA,QPL,TUV,UR
工作温度:-55°C ~ 125°C
大小/尺寸:0.103" 直径 x 0.280" 长(2.61mm x 7.11mm)
DC 冷态电阻:0.28 欧姆
MIC4223YM 规格信息:产品:MOSFET Gate Drivers
配置:Inverting
激励器数量:2
上升时间:15 ns
下降时间:15 ns
输出电流:4 A
电源电压-最大:18 V
电源电压-最小:4.5 V
电源电流:1.7 mA
最大工作温度:+ 125 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
类型:Low Side
商标:Micrel
最小工作温度:- 40 C
输出端数量:2
封装:Tube
系列:MIC4223
工厂包装数量:95
ROHS: 无铅
MIC38HC45BM 规格信息:标准包装:95
类别:集成电路 (IC)
家庭:PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
系列:-
包装:管件
PWM 类型:电流模式
输出数:1
频率 - 最大值:500kHz
占空比:50%
电压 - 电源:7.6 V ~ 20 V
降压:是
升压:是
反激式:是
反向:无
倍增器:无
分频器:无
Cuk:无
隔离式:是
工作温度:-40°C ~ 85°C
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MMDT3906V-7 规格信息:制造商:Diodes Incorporated
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-563-6
晶体管极性:PNP
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
最大直流电集电极电流:0.2 A
增益带宽产品fT:250 MHz
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:MMDT39
高度:0.6 mm
长度:1.6 mm
封装:Reel
宽度:1.2 mm
商标:Diodes Incorporated
集电极连续电流:- 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:60
Pd-功率耗散:150 mW
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:3000
子类别:Transistors
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源:21IC和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
0253.500NRT1L 规格信息:标准包装:5,000
类别:电路保护
家庭:保险丝
系列:PICO® II 253
包装:带卷(TR)
GMS81C1408-HG051保险丝类型:板安装(不包括管筒式)
额定电流:500mA
额定电压 - AC:125V
额定电压 - DC:125V
响应时间:快速
封装/外壳:轴向
安装类型:通孔
不同额定电压时的熔断能力:50A AC,300A DC
融断 I2t:0.0598
认可:CCC,CSA,QPL,TUV,UR
工作温度:-55°C ~ 125°C
大小/尺寸:0.103" 直径 x 0.280" 长(2.61mm x 7.11mm)
DC 冷态电阻:0.28 欧姆
MIC4223YM 规格信息:产品:MOSFET Gate Drivers
配置:Inverting
激励器数量:2
上升时间:15 ns
下降时间:15 ns
输出电流:4 A
电源电压-最大:18 V
电源电压-最小:4.5 V
电源电流:1.7 mA
最大工作温度:+ 125 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
类型:Low Side
商标:Micrel
最小工作温度:- 40 C
输出端数量:2
封装:Tube
系列:MIC4223
工厂包装数量:95
ROHS: 无铅
MIC38HC45BM 规格信息:标准包装:95
类别:集成电路 (IC)
家庭:PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
系列:-
包装:管件
PWM 类型:电流模式
输出数:1
频率 - 最大值:500kHz
占空比:50%
电压 - 电源:7.6 V ~ 20 V
降压:是
升压:是
反激式:是
反向:无
倍增器:无
分频器:无
Cuk:无
隔离式:是
工作温度:-40°C ~ 85°C
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MMDT3906V-7 规格信息:制造商:Diodes Incorporated
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-563-6
晶体管极性:PNP
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
最大直流电集电极电流:0.2 A
增益带宽产品fT:250 MHz
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:MMDT39
高度:0.6 mm
长度:1.6 mm
封装:Reel
宽度:1.2 mm
商标:Diodes Incorporated
集电极连续电流:- 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:60
Pd-功率耗散:150 mW
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:3000
子类别:Transistors
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(素材来源:21IC和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)