RC56DDP-RAM重新映射

•可选择明排、上拉和下拉

•高达5毫安的过电压钳位电流

•所有I/O引脚上的更改通知中断

资质和B级支持

•计划AEC-Q100 REVG（1级，-40℃至+125℃）

•计划AEC-Q100 REVG（0级，-40℃至+150℃）

•B级安全库，IEC 60730

开关电源的损耗由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0～1.2V，采用低压降的肖特基二极管(SBD)，大约0.6V的压降，导致整流损耗增大，电源效率降低。

调试器开发支持

•电路内和应用程序设计

•两个程序和两个复杂的数据断点

•IEEE1149.2兼容（JTAG）边界扫描

•跟踪和运行时间监视

同步整流技术采用低导通电阻的功率MOS管代替开关变换器快恢复二极管，起整流管的作用，从而达到降低整流损耗，提高效率的目的。=变换器的主开关管也采用功率MOS管，二者有一些差异的。

功率MOS管实际上是一个双向导电器件，工作原理的不同，导致了其他一些方面的差异。主开关的MOS管通常都是硬开关，要求开关速度快，以减小开关损耗;而作为整流/续流用的同步MOS管，则要求MOS管具有低导通电阻、体二极管反向恢复电荷小、栅极电阻小和开关特性好等特点，虽然两者都是MOS管，但是它们的工作特性和损耗机理并不一样，性能参数要求不一样，正确选用MOS管是有益的。

采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到(18%～40%)PO，占电源总损耗的60%以上。

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