CDC960DLG4MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中 ,也可用细铜线把各个引脚连接在 一起或用锡纸包装。

取出的MOS器件不能放在塑料板上,应用金属盘来盛放。场效应管外形如图8-9所示。

晶间管(Thyr“tor)有三个极.分别为阳极、阴极、门极,广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管叉叫可控硅(SCR,S山con Controlled Recti-fier),是一种大功率半导体器件,最早出现于20世纪70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。晶闸管的主要特点是控制能力很强,只要几卜到几百毫安电流和几伏电压的小信

号,便能控制大电流、高电压电路的导通和断开。具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用灵活方便等优点。

晶闸管也像二极管那样具有单向导电性,其导通时间是可控于整流、逆变、调压及开关等方面。

晶闸管基本结构 晶闸管是P1N1P2N2四层三端结构元件.共有三个PN结,分析原理时,可以把它当作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其外形、结构及符号如图8-10所示。

晶闸管分单向晶闸管、双向晶闸管、有阳极A、阴极K、控制极G三个引脚,双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引脚。

晶闸管分为普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管(TTS国内、TT国外)及光控晶闸管(LTT)等。