C907U240JYSDBAWL35缘栅型场效应管的特点是输入电阻高,噪声小。

在通常情况下.源极一般都是与衬底相连.即U:s=0。为保证N沟道增强型MOs管正常工作,应达到如下条件。

UGs=0时,漏源之间是相当于两只背靠背的PN结,不论UDs极性.两个PN结中总有一个PN结反偏,即不存在寻电沟道。LIGs必须大于0(UGs>0),场效应管才能工作。

漏极对源极的电压UDs必须为正值(UDs)0)。在漏极电压作用下,源区电子沿导电沟道行进到漏区,产生自漏极流向源极的电流。

当UGs=0,在漏、源极之问加正向电压UDs时.漏源极之间的电流ID=0

MoSFET是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。

N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理如图8-7所示。

当 UGs=0,在 漏 、源极之间加正向电压UDs时 ,漏源极之间的电流1D=0。

当LGs)0,在绝缘层和衬底之间表面形成一层耗尽层,但负离子不能导电。UGs=UT时,漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极之间加正向电压UDs时,将会产生电流rD。

在UDs>0时,有三种情况存在,其结果如下:

若UGs(UT,耗尽层消失,无导电沟道,ID为0;

若LIGs)UT,出现导电沟道,D、S之间有电流JD流过;

若UGs逐渐增大,沟道加厚,沟道电阻减少,JD也随之逐渐增大,即UGs控制【D的变化。

N沟道耗尽型MOS场效应管 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构及符号如图8-8所示。

当UGs=0时,UDs加正向电压,产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流,用IDss表示。

当UGs>0时,将使ID进一步增加。

当LIGs<0时,随着UDs的减小漏极电流逐渐减小.直至ID=0。