半导体材料
发布时间:2019/7/9 20:27:01 访问次数:613
半导体材料
半导体材料的测试标准主要规定了半导体材料晶体结构、物理尺寸、 K4B1G164GG-BCH9电学性能的测试等,包括从测试参数定义、测试方法的介绍、测试前的制样、测试数据的处理等。对于碳化硅单晶材料,其测试标准主要是s⒓0858―⒛⒆,即《碳化硅单晶材料电学参数测试方法》,该标准规定了碳化硅晶体材料的电学性能参数的测试方法是采用范德堡法,对电阻率和霍尔系数的测量做了详细的介绍,给出了各个测试的计算公式以及误差消除方法。此外,该标准还规定的制样设备、电极烧结设各、几何尺寸的测量、恒流源的精度、测试环境条件等。
对于砷化镓材料,其测试标准主要是Gm19%~%、Gm1927亠%等。GJB19%―%《砷化镓单晶材料规范》规定了砷化镓单晶棒、片的分类、要求、质量保证等要求。《砷化镓单晶材料测试方法》规定了半绝缘砷化镓材料电阻率、霍尔迁移率及其均匀性、热稳定性和杂质均匀性的测试方法。本标准分别阐述了砷化镓单晶材料霍尔迁移率测试、砷化镓单晶材料电阻率和霍尔迁移率均匀性测试、砷化镓单晶材料热稳定性测试以及砷化镓单晶材料杂质均匀性测试。电阻率和霍尔迁移率及其均匀性的测试主要是通过范德堡法来测量,此外还介绍了六触点和八触点法测电阻率和霍尔迁移率。而热稳定性的测试主要规定了其测试方法以及其热处理工艺、样品制备等。对于杂质均匀性的测试主要是使用二次离子质谱法。
半导体材料
半导体材料的测试标准主要规定了半导体材料晶体结构、物理尺寸、 K4B1G164GG-BCH9电学性能的测试等,包括从测试参数定义、测试方法的介绍、测试前的制样、测试数据的处理等。对于碳化硅单晶材料,其测试标准主要是s⒓0858―⒛⒆,即《碳化硅单晶材料电学参数测试方法》,该标准规定了碳化硅晶体材料的电学性能参数的测试方法是采用范德堡法,对电阻率和霍尔系数的测量做了详细的介绍,给出了各个测试的计算公式以及误差消除方法。此外,该标准还规定的制样设备、电极烧结设各、几何尺寸的测量、恒流源的精度、测试环境条件等。
对于砷化镓材料,其测试标准主要是Gm19%~%、Gm1927亠%等。GJB19%―%《砷化镓单晶材料规范》规定了砷化镓单晶棒、片的分类、要求、质量保证等要求。《砷化镓单晶材料测试方法》规定了半绝缘砷化镓材料电阻率、霍尔迁移率及其均匀性、热稳定性和杂质均匀性的测试方法。本标准分别阐述了砷化镓单晶材料霍尔迁移率测试、砷化镓单晶材料电阻率和霍尔迁移率均匀性测试、砷化镓单晶材料热稳定性测试以及砷化镓单晶材料杂质均匀性测试。电阻率和霍尔迁移率及其均匀性的测试主要是通过范德堡法来测量,此外还介绍了六触点和八触点法测电阻率和霍尔迁移率。而热稳定性的测试主要规定了其测试方法以及其热处理工艺、样品制备等。对于杂质均匀性的测试主要是使用二次离子质谱法。