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意法半导体新的SPD EEPROM全面支持JEDEC DDR2标准

发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:643

意法半导体(ST)日前推出一个新的专用EEPROM,这个电可擦除可编程只读存储器具有串行存在检查(SPD)功能,用于下一代速度更高的兼容JEDEC DDR2规范的存储器模块。M34E02芯片采用两种封装,其中包括一个节省空间的3mm×2mm无铅超薄扁平封装。

SPD用于最新版本的DIMM(双列直插式存储器模块)模块,在台式机和打印机以及机顶盒中,DIMM提供系统存储的大部分功能。DDR2(双倍数据速率)标准定义的参数集被保存、锁定在串行存在检查EEPROM底部的128字节空间内。这些参数用于记录信息,如模块的存取速度、存储容量、EEPROM配置和制造商,PC机的CPU通过一个I2C串口可以访问这些参数。

JEDEC DDR2标准定义了256MB到4GB DRAM双列直插式存储器模块的最低要求,并规定了速度更快、可靠性更高、效率更高的性能,而工作电压低于目前大多数PC机正在使用早期版本DDR规范规定的电压。400MHz和533MHz的DIMM将在2004年批量推出,DDR2预计在2006年以前会成为主流的存储技术,所有新的168引脚和200引脚DDR2模块要求必须使用串行存在检查存储器。

M34E02共有2,000位(256字节)的存储容量,是ST现有的M34C02 SPD升级产品,底部128字节新增了永久软件保护功能,这是一个响应特殊的指令序列的写保护功能。为方便DRAM模块制造商,还增加一个临时的锁定/解锁指令。这个功能以及所有的其它功能都完全符合JEDEC标准的规定,存储器顶部用于快速暂时存储应用。

按照DDR2的规定,SPD的工作电源是1.7V到3.6V的单电源电压,工作温度0到+70摄氏度,支持随机和连顺读取模式,允许字节读取和页式读取(最高16字节)。M34E02采用一个质量极其优异的CMOS制造工艺,数据保存最小年限为40年,读写循环保证在100次以上,确保DIMM参数在模块使用寿命内永久保留。

M34E02采用一个8引脚UFDFPN8封装(超薄精细节距双扁平封装),简称为MLP8,封装壳体长3mm,宽2mm,厚0.6mm;此外,这个器件还采用TSS0P8封装。两种封装都采用ST的ECOPACK无铅工艺技术,完全符合RoHS标准(欧洲限制有害物质使用的法规)。 (转自 国际电子商情)


意法半导体(ST)日前推出一个新的专用EEPROM,这个电可擦除可编程只读存储器具有串行存在检查(SPD)功能,用于下一代速度更高的兼容JEDEC DDR2规范的存储器模块。M34E02芯片采用两种封装,其中包括一个节省空间的3mm×2mm无铅超薄扁平封装。

SPD用于最新版本的DIMM(双列直插式存储器模块)模块,在台式机和打印机以及机顶盒中,DIMM提供系统存储的大部分功能。DDR2(双倍数据速率)标准定义的参数集被保存、锁定在串行存在检查EEPROM底部的128字节空间内。这些参数用于记录信息,如模块的存取速度、存储容量、EEPROM配置和制造商,PC机的CPU通过一个I2C串口可以访问这些参数。

JEDEC DDR2标准定义了256MB到4GB DRAM双列直插式存储器模块的最低要求,并规定了速度更快、可靠性更高、效率更高的性能,而工作电压低于目前大多数PC机正在使用早期版本DDR规范规定的电压。400MHz和533MHz的DIMM将在2004年批量推出,DDR2预计在2006年以前会成为主流的存储技术,所有新的168引脚和200引脚DDR2模块要求必须使用串行存在检查存储器。

M34E02共有2,000位(256字节)的存储容量,是ST现有的M34C02 SPD升级产品,底部128字节新增了永久软件保护功能,这是一个响应特殊的指令序列的写保护功能。为方便DRAM模块制造商,还增加一个临时的锁定/解锁指令。这个功能以及所有的其它功能都完全符合JEDEC标准的规定,存储器顶部用于快速暂时存储应用。

按照DDR2的规定,SPD的工作电源是1.7V到3.6V的单电源电压,工作温度0到+70摄氏度,支持随机和连顺读取模式,允许字节读取和页式读取(最高16字节)。M34E02采用一个质量极其优异的CMOS制造工艺,数据保存最小年限为40年,读写循环保证在100次以上,确保DIMM参数在模块使用寿命内永久保留。

M34E02采用一个8引脚UFDFPN8封装(超薄精细节距双扁平封装),简称为MLP8,封装壳体长3mm,宽2mm,厚0.6mm;此外,这个器件还采用TSS0P8封装。两种封装都采用ST的ECOPACK无铅工艺技术,完全符合RoHS标准(欧洲限制有害物质使用的法规)。 (转自 国际电子商情)


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