AA2214SYSK-AMT

   寄生NPN(PNP)三极管的共基极电流增益aN(aP)间有关系

     aNRWRw、Rs分别为晶体管E-B结上并联的寄生电阻，是相应发射极串联电阻。

       电路输出端闩锁触发的等效电路。当输出端上存在正的外部噪声时，寄生PNP管VT．，的E-B结正向偏置，基极电流通过Rs流入UDD中，VT．，管导通，其集电极电流通过P阱内部Rw进入Us。，Rw上产生压降，当VT，z管的UBE达到正向导通电压时，VT，。导通，VT，。的集电极电流流向VT．，基极使其电位降低，VT．，进一步导通结果使UDD与Uss之间形成低阻电流通路，这就发生了闩锁。

   温度升高，晶体管E-B结正向导通电压下降，电流增益和寄生电阻随温度升高而增大，导致维持电流IH随温度升高而下降。另外，PN结反向漏电随温度上升而增大，而P阱衬底结的反向漏电正是寄生SCR结构的触发电流，所以高温下闩锁更易发生。

   对闩锁效应的检测，可测定CMOS IC抗闩锁性能的好坏和芯片内部闩锁通路，为失效分析、改进设计，提供依据。检测闩锁效应的方法有以下3种。提高器件的电源电压（输入端接人适当逻辑电平，输出端开路），根据电源电流的变化，便可判断发生闩锁效应昀触发电平，或用示波器记录电源I-U特性。电源电压必须大于维持电压UH，它所提供的电流必须大于维持电流IH。触发电流在寄生电阻上的压降大于相应晶体管E-B结上正向压降。触发信号可以是外界噪声或电源电压波动；触发端可以是电路的任意端。下面以输出端的噪声触发为例来分析其触发的物理过程，其他端的情况类似。