LAN8700C

   起源于Si-Si0：界面的结构缺陷、氧化感生缺陷，以及金属杂质和辐射等因素引起的其他缺陷。如Si-Si0。界面的硅原子处，由于硅原子在S102方向上的晶格结构整齐排列的中断，从而产生的所谓悬挂键，就是一种结构缺陷。这种结构缺陷可接受空穴或电子而带一定的电荷，此即界面陷阱电荷。接受电荷即悬挂键与硅表面交换电子或空穴，从而调制了硅表面势，造成器件参数昀不稳定性。此外，这种界面陷阱尚可同时俘获一个电子或一个空穴而起复合中心的作用，这导致器件表面漏电，l/f噪声增加和电流增益（跨导）降低。

   氧化层中存在上述4种电荷，当这些电荷位置或密度变化时，调制了硅表面势，因此，凡是与表面势有关的各种电参数均受到影响。如对双极性器件，导敢电流增益和PN结反向漏电电流变化，击穿电压蠕变等。对MOS器件引起阈值电压及跨导漂移，甚至源一漏击穿；对电荷耦合器件则引起转移效率降低等。在这4种电荷中，以可动离子电荷最不稳定，对器件可靠性的影响最大。

    可以是正电荷，也可以是负电荷，这取决于氧化层陷阱中俘获的是空穴还是电子， 而这些被俘获的载流子来自X射线、7射线或电子束在氧化层中引起的辐射电离，以及沟 道内或衬底的热载流子的注入。

   以上4种电荷，除了在硅热氧化等生产工艺过程中形成的之外，在随后器件工作时也 会不断产生。如Na+等离子沾污，可从外界环境中通过扩散进入氧化层中。沟道或衬底中 的热载流子可越过Si-Si0。壁垒进入氧化层中，在Si与S102的过渡区内如能打断Si-H、 Si-OH键或者形成其他缺陷，即产生Q．。及Q。。。外加热、电应力条件下产生Q．。及Q。。的情 况，可从MOS电容样品的高频C-V曲线上得知。而电荷汞技术的采用，更是研究氧化层 内电荷变化特别是Q，分布的一个有力工具。