D2A050002

   鉴于人们对电子产品小型化、微型化的持续需求,场效应晶体管的尺寸也不断缩小。⒛世纪⒛年代最初应用于微处理器中的场效应晶体管,导电沟道长度为10um;而目前“位多核处理器中场效应晶体管的沟道长度仅为351m。但是,发展到纳米尺寸的场效应晶体管,再进一步的微型化就非常困难并且代价昂贵。例如,如果栅极介电层的厚度降低到2nm以下,由量子力学隧穿引起的电流泄漏将达到1A/cm2,使器件的关状态产生严重问题,诸如能量损耗、热量产生等。通过使用高介电常数的金属氧化物,采用沉积方法制备的绝缘层,可以缓解电流泄漏的问题。但是,由于沉积介电层可导致界面缺陷以及电子散射,使得器件中载流子的迁移率下降。为了使场效应晶体管尺寸进一步微型化,必须寻找新型的场效应晶体管活性

材料。