安森美半导体日前宣布推出新的高压MOSFET产品线。推出这些新的600伏（V）MOSFET，扩展了公司的简化电源设计方案，用于包括开关模式电源、PWM马达控制、转换器和桥电路应用中。增加高压MOSFET后，现在安森美半导体可单独提供所有的电源设计重要有源元件。

    新的NTD4N60、NTP6N60和NTP10N60器件特点为高至10安倍（A）的电流额定和10V时RDS(on)低至0.75欧姆。这些器件采用了安森美半导体的优秀平面TMOS7HV技术，可在要求最苛刻的应用中工作。门控充电极低，从而降低了驱动器损耗，取得比传统技术更高的效率。这些器件的雪崩能量额定使其在电源应用中可靠运行。

    安森美半导体集成产品器件部副总裁兼总经理Ramesh Ramchandani说：“推出此产品只是安森美半导体涉足高压MOSFET市场的第一步，到今年末，我们将推出500-800V HVMOS器件，具引以为傲的最佳RDS(on)和开关性能”。

    推出高压MOSFET增强了安森美半导体的丰富产品系列，用于电源设计的功率因数校正（PFC）和开关模式电源（SMPS）阶段。这些方案包括高能效功率转换控制器，如NCP1650和NCP1217、不同电流和电压额定的各种整流器、及新的600 V MOSFET。一起采用这些器，可大大简化高效电源的设计。