这张表的线宽数据仅供示意用,不过,它们代表的信息是准确的。如果我们选择第二行:JMK212BJ475KG-T线宽为100nm,它随着槽宽的增加而减小.至刂达一个最小值后叉逐渐恢复一点,最后稳定在较大槽宽的地方:90nmc冉看第二列:槽宽为100nm,它随着线宽的增加而减小(表中列出的现款数据.槽宽=L+S一线宽),到达一定的线宽(如300nm),槽便不能够被分辨(Mcrge)。但是,随着槽宽变宽,第工、四、五列,槽Merge的情况逐渐好转。所以我们不禁要问?为什么线与槽不对等?这是闪为:

   浸没式光刻也遇到一系列技术挑战,如缺陷,光刻胶表面光酸的浸析(leaching),换句话讲光酸会受到浸没式水的分子力而被从光刻胶中拉出来,一方面造成不完整显影的缺陷,另一方面造成镜头表面的腐蚀。又如由于水在硅片表面的蒸发,影响硅片的套刻精度。不过,这些问题都已经得到较好的解决,现在由于浸没式造成的缺陷已经降到10~⒛颗/硅片。甚至有些好的光刻机,缺陷率降到5颗/硅片。不过,在浸没式光刻中,偏振照明已经变得不可或缺。用得最多的是ⅪY照明条件和单一Y或者X方向的偏振态。

   (1)光刻胶偏向线,也就是光刻胶是为孤立以及半孤立的线条优化的。

   (2)系统使用了透射衰减掩膜版,它对线条的对比度增加有很大帮助,不过,相移层的存在对相对孤立的槽的I艺窗口有很大损伤。

   (3)掩膜版上使用了正向的线宽偏置,使得系统需要有一点过度曝光来充分发挥偏向线的光刻胶的性能,而槽的光刻胶通常喜欢曝光不足。那么,有没有对线、槽都平等对待的光刻胶?回答是:理论上能够,但是实际屮很难制造。比如,对线的光刻胶,对光线不能做得太灵敏,否则,孤立的线条就会被过度曝光而大大缩小线宽,甚至发生图形倒塌。如果曝光不过度,会使得在光刻胶边缘产生残留;同理,对

槽的光刻胶必须做得很灵敏,否则对于孤立的槽或者接触孔,无法形成足够的曝光,造成图形打不开。