力晶半导体近日在台湾新竹科学工业园区，建设第二座12英寸晶圆厂(12B厂)。预计2004年主体结构完工，届时将拥有14,000平方米洁净室，预计2005年第三季可以正式量产。

与此同时，力晶半导体董事长黄崇仁表示，在未来三年内，力晶有信心成为世界DRAM产业的前三强。原12A厂正在向35000片最大月产能努力，同时总投资额近18亿美元的12B厂，建成后满载月产能可达40000片。

未来力晶的两座12英寸晶圆厂将同时专注最先进DRAM产品制造，原有的8英寸厂则全线转为利基型晶圆代工服务。
力晶总经理谢再居也表示，在长期技术合作伙伴Elpida的配合下，未来力晶12B厂将发展0.1微米以下尖端工艺技术，除制造最新一代的DRAM产品外，也计划导入更多元化的内存产品线。

据了解，目前力晶12A厂的工艺技术已和世界大厂同步，生产0.13微米量产DRAM，并计划第四季逐步转入0.11微米量产。