值为111F的电容在本案例所产生的辐射频率的范围内的阻抗要比10pF的结电容小很多,1nF旁路电容的连接相当于把Δσ“短路”了,如图5.49所示。 K4F151611D-JC60

   这也许是个不可思议的结果,但是事实迓的改动后,也许有人会怀疑,1nF电容的存在力降低,理由是1nF电容比原来的10pF结哇干扰的频率下,阻抗也会小很多,那么自然沅会增大(如图5.50所示),因此E叮//B测试刊经过测试,结果正好相反,抗E田//B干扌相反提高了很多 原来只能通过信号线±l kⅤ测试的本产品,现在 图5,⒆旁路电容能通过±2kⅤ测试(拆除1nF电容后,只能通过±1kⅤ)。    

   以下是数字电路地与模拟电路地之间接1nF旁路电容后反而使r/B抗干扰能力提高的解释。

   图5.51中假设共模干扰电流由左侧流向右侧,由于A、B之间的阻抗较高(分布电容容抗)会导致有一部分共模干扰电流由A流向C,经过二极管再流向B,可见光耦中最为敏感的部分,发光二极管受到了干扰,并使其工作失常。

   图551 共模电流导致光耦I作不正常

   与辐射问题同样的道理,接了111F的旁路电容后,降低了A、B之间的压降,情况也就好转很多(注:通常这种跨接的旁路电容需要采用耐压1kⅤ以上的高压电容)。