有机材料属于分子固体,ICL3222CVZ材料的能级结构与前面的半导体材料有所不同,但解离能和电子亲和能的含义类似。对于一个孤立的有机分子,从中性的HOMO能级中移除一个电子所需要的能量即为解离能(ionizationpotential)rPg。将一个自由电子填充到一个中性分子的LUMo能级上所释放的能量称为电子亲和能(electron amnity)Ez亻g。由单个分子到晶体时,由于分子间的相互作用,各种分子的能级会形成一定的带宽,并使体系的解离能fJPc)和电子亲和能发生显著变化,如图2.13所示。相同分子形成晶体时,这种相互作用的主要因素是固体中的正负离子的极化能rPh、Pe)对体系的稳定作用,因此,Pc=rPg+Ph;J“c=E4g^Pe,其中的Ph、Pe近似相等。值得注意的是,在无机半导体材料中,CB能级上电子和VB能级上空

    穴是高度离域的,电子向CB能级的移人或从VB能级的移出,基本上不会影响材料的电子结构。与无机半导体材料不同,有机材料LUMO能级上电子和HOMO能级上空穴是定域的。因此电子到LUMO能级的移入或从HOMo能级的移出,将形成电子极化子(e1ectron polaron)或空穴极化子oobpolaron),并可导致较大的电子和原子弛豫⑩.5~1.0eV),显著地影响材料的电子结构,如图2.17所示。另外,对于有机材料,电子亲和能σ⑷可以由中性分子(图2,17(a))的总电子能量与阴离子自由基(图2,17(cD的总电子能量之差计算得到;类似地,解离能rrP)可由中性分子(图2,17(a))的总电子能量与阳离子自由基(图2,17(b))的总电子能量之差计算得到。