场效应晶体管CfIeld effect订ansisto△FEη是现代微电子技术中最重要的一类器件,它是靠改变电场来影响半导体材料导电性能的有源器件。图1.8为 GAL20V8B-15LD场效应晶体管的基本结构,它由介电层、半导体层及三个电极(源电极、漏电极、栅电极)所组成。它的工作原理,是通过栅电极的引人来改变器件利用有机薄膜来替代普通无机半导体材料制备的有机场效应晶体管①FET)有很多优点,如:制造工艺相对简单、生产能耗有望减少、性能可以较简易地加以调节、价格低廉、可方便地实现大批量生产。在常规硅材料的制各中,要求在高温、高真空的条件下进行材料的沉积,并要求用复杂的光刻技术来实现图案化,而有机场效应晶体管可采用低温沉积法或者溶液成膜法,工艺相对简单,加工速度快。同时,有机材料几乎有着无限量的、不同的建筑“基块”,能够很容易得到不同性质的材料。如果将所有的材料都用有机物代替,就可以制备出具有良好柔韧性的电子器件,这也是有机场效应晶体管被大家强烈关注的原因之一。

    在应用方面,由于oFET的性能如响应时间、开关比等不可能与硅晶片相比,所以并没有期待它取代计算机中的中央处理器单元。但是基于OFET的廉价制各工艺、大面积及可柔性的特点,它有可能成为低端且大需求量电子产品中的核心元件,如智能卡、商品价格标签、识别标志、以及电子书籍(报纸)等。图1,9给出了有可能应用OFET的产品。