2003年从事电子材料行业研究、生产的企业几千家，从业人员10余万人，有国企、民营、合资、独资各种性质的企业，已渗透到国民经济和国防建设的各个领域。2003年上半年因受“SARS”影响，电子材料企业的生产、销售量、出口也都受到一定影响。但从7月份开始，行业情况很快好转。由于整机和元器件的降价，迫使电子材料的价格年年下调，2003年各种电子材料产销量虽然有了增长，但利润很微薄。企业以人为本，加强技术创新力度，开发新产品，各企业的高档产品或高附加值产品比例都有所增加，促使行业技术进步和产业升级的发展。

   半导体材料

    硅材料

    我国半导体材料行业经过40多年发展已取得相当大的进展，主要有北京有研硅股、杭州海纳半导体材料公司、宁波立立电子公司、洛阳单晶硅厂、万向硅峰电子材料公司、上海晶华电子材料公司、峨眉半导体材料厂、河北宁晋半导体材料公司等。研究生产企业约35家，从业人员近4000人，以5英寸、6英寸为主，2003年国内硅单晶产量达1100吨左右（太阳能电池硅单晶约占58%），平均年增长率为27.5%。由于2002年以来国际半导体市场需求的回升，特别是中国半导体产业的快速增长，硅材料企业基本上都处于满负荷生产，有的企业还加快了12英寸硅片的研究开发，以适应未来市场发展的需要。

    砷化镓材料

    近年来经过自主攻关、技术引进、对外合作等多种形式的努力，我国在该领域已处于世界较先进国家行列。产品性能方面，我国自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶，主要技术指标与国外先进水平相当；工艺技术方面，我国已拥有生长该类材料的各种主要技术，如高压液封切克劳斯基工艺（HPLEC）、常压液封切克劳斯基工艺（LPLEC）、水平布里奇曼工艺（HB）、垂直布里奇曼工艺（VB）、垂直梯度冷凝工艺（VGF）、蒸气压控制直拉工艺（VCZ）等，其中一些主要技术已经成熟；在产业化方面，在引进、自主建设等各种方式努力下，有多家企业已完成了产业化的前期工作。由于美国目前已基本没有GaAs材料的生产能力，因此综合比较，中国可在日、德之后处于世界第三位。

    中国电子科技集团公司第四十六所和中科院半导体所（中科镓英半导体公司）是承担国家各种任务的主要单位。四十六所形成了一批具有自主知识产权的核心技术，生长出我国第一颗4英寸和第一颗6英寸砷化镓单晶，在LEC工艺生长砷化镓单晶的位错密度控制技术、微缺陷密度控制技术、砷化镓多晶合成技术等方面，拥有一批世界领先的科研成果。中科院半导体所（中科镓英半导体公司）也在微重力下生长砷化镓单晶方面取得了在世界上具有一定影响的成果。

    光电器件用低阻砷化镓材料研制方面，目前国内以四十六所和国瑞电子公司为主。四十六所研发出具有自主知识产权的垂直布里奇曼技术，并正在大力开展产业化工作；国瑞电子主要采用水平布里奇曼技术进行低阻砷化镓材料的生产。

   光电子材料

    液晶材料

    国内有主要生产企业4家，石家庄实力克液晶材料公司、北京清华亚王、西安瑞联公司、烟台万润。国内总的生产能力约为40吨/年。TN占80%，STN有一定量产品，TFT-LCD用液晶正在开发。

    ITO导电玻璃

    国内外的总产量为1.5亿片，我国内地占了约1亿片，生产企业约20多家，产品以TN类为主，有部分STN产品，日本以STN为主，我国台湾地区TN、STN各一半。

    光纤材料

    随着近十多年通信业的迅速发展，我国光纤产业取得了长足进步，由原来有限规模的一两家企业，较单一的生产工艺，逐步形成了涵盖PCVD、MCVD、VAD、OVD等多种生产工艺的企业群体。经过多年的不懈努力，国内光纤产业在质和量方面都发生了巨大变化。

    近几年在国家有关部门的重点支持下，相关企业直接参与，使光纤预制棒这一新兴产业有了较快的发展。特别是科技部在“十五”国家科技攻关和“863”光电子新材料研究计划中，安排了光纤预制棒产业化技术开发及相关主要原材料项目，加快了具有自主知识产权的光纤预制棒新技术、新工艺和新材料的开发步伐，初步解决了光纤发展中的“瓶颈”问题。

    目前我国光纤预制棒生产技术已基本融入世界制棒技术主流，形成了以长飞、法尔胜、富通为主的多个光捧生产企业格局，国内光棒生产能力达1850万公里/年，市场占有率达34.4%，成为世界第三大光纤生产国。目前已申报光纤预制棒方面的专利30多项，2003年国内光纤产量约1300万公里。

    激光晶体材料