扩散工艺（热扩散或离子注入）的目的有如下3个：

   1．在晶圆表面产生具体掺杂原子的数量（浓度）。PCA9538PWG4

   2．在晶圆表面下的持定位置处形成NP结或PN结。

   3．在晶圆表面层形成特定的掺杂原子浓度和分布。

    结的图形表示

   在半导体器件的截面图中，NP结被简单地表示为器件内部的区域，没有图形代表N型或P型区域。截面图仅仅显示掺杂区域和结的相对位置。这种类型的图基本不提供杂质原子浓度的信息而仅仅估计区域的实际尺寸。在图中，20 mm厚的晶圆上只有2ht,m r深的结，当晶圆厚度按比例变为8英尺时，结深仅仅变为0.4英寸。

   浓度随深度变化的曲线

   另一种显示掺杂区域的二维图形是浓度随深度变化的曲线。这种图形的纵坐标为杂质的浓度，横坐标为距晶圆表面的深度。给出了这种图形的一个例子。这个图例中所用的数据来自的掺杂示例。首先，画出了P型掺杂的浓度。示例中，纵深方向的5个层中刚好有5个P型杂质原子。其次，N型杂质的原子数也被标示出了。由于原子数随着深度的增加而减少，所画线段向右下方倾斜。在第4层，N型与P型杂质数量相当，两线交合。这是图形方式显示结的位置。