1．光照特性

   所谓光照特性， K9F1G08UOM-YCBO是指光电管（硅光电二极管和硅光电三极管的总称）的光电流与照度之间的关系曲线，分别示出了硅光电二极管和硅光电三极管的光照特性曲线。从图中看出，硅光电二极管光照特性的线性较好，而硅光电三极管的光电流在弱光照时有弯曲，强光照时又趋向于饱和，只有在某一段光照范围内线性较好，这都是由于硅光电三极管的电流放大倍数在小电流或大电流时都下降而造成的，若采用较大面积的发射区e，能提高弱光照（发射结）时的电流密度，而使起始段线性，有利于弱光探测；反之，则有利于强光时的线性。

    2．伏安特性

   光电管的伏安特性表示为当入射光的照度（或光通量）一定时，光电管输出的光电流与偏压的关系。表示硅光电二极管和硅光电三极管的伏安特性曲线。由图可见，硅光电三极管的伏安特性曲线与硅光电二极管的特性曲线稍有不同。

   ①在相同照度下，硅光电三极管的光电流比硅光电二极管大得多，一般硅光电三极管的光电流在毫安量级，程光电二极管的光电流在微安量级；

   ②在零偏置时硅光电二极管仍然有光电流输出，而硅光电三极管没有光电流输出，这是因为光电二极管具有光生伏特效应，而硅光电三极管集电极虽然也能产生光生伏特效应，但因集电极无偏置电压，没有电流放大作用，故微小的电流在毫安级的坐标表示不出来；