可见,当表面浓度Cls、杂质扩散系数D以及扩散时间r确定后,杂质的扩散分布也就确定了。MAX3042BCSE+T其中,Cs和D主要取决于不同的杂质元素和扩散温度。Cs是半导体内表面处的杂质浓度,它并不等于半导体周围气氛中的杂质浓度。

   当气氛中杂质的分压强较低时,在半导体内表面处的杂质溶解度将与其周围气氛中杂质的分压强成正比。当杂质分压强较高时,则与周围气氛中杂质的分压强无关,数值上就等于扩散温度下杂质在半导体中的固溶度。在通常的扩散 条件下,表面杂质浓度可近似取其扩散温度下的固溶度。因此,杂质的同溶度给杂质扩散的表面杂质浓度设置了上限。如果扩散所要求的表面杂质浓度大于某杂质元素在硅中的最大固溶度,那么就无法用这种元素来获得所希望的杂质分布。

   杂质元素和扩散温度选定之后,Cs和D就基本定了,若再将扩散时间r定下来,杂质在衬底中的分布也就确定了。扩散时间不同,杂质分布曲线不同,其扩散的深度(或扩散结深)不同,扩人硅片内的杂质总量也不同。