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放大电路设计

发布时间:2017/3/4 19:01:59 访问次数:382

   对于单级放大电路,应选择单点接地方式,并极力避免电路多点接地。R1LP0408CSP-5SI其接地点一般选择为放大器输出一方,而使信号源与地隔离。这样可使负载免受地电位差的影响,从而抑制了地环路噪声干扰。

   一般电子设备低电平级电路是易受干扰电路,多级放大电路若采用串联式单点接地,其接地点应选择在低电平级电路的输入端,以使电路受地电位差的干扰最小。为克服多级放大器各级之间的地电位差相互影响,可采用并联式一点接地(即各级放大器各自直接与系统指定的公共接地点相连)。

   RAM电路设计

   对于数字电路中的RAM电路,其地址和数据总线驱动尽可能靠近存储器,以防止线长引人电感,造成因延迟引起的误动作。当RAM存取速率很高时,一定要注意地址总线和数据总线各自的PCB走线长度尽可能保持一致且尽量短。必要时,可利用PCB布线软件的等长布线功能。为保证布线尽可能短,除缩短与CPU器件之间的距离外,还应优先布线。高速RAM的数据总线上若有过孔(Ⅴh),应让过孔尽可能少,且每条数据`总线上的过孔数及穿越的层数尽量一致。由于高温会加速RAM结点的漏电,所以不能使器件过热,布局时应留有散热空间或采用散热措施。





   对于单级放大电路,应选择单点接地方式,并极力避免电路多点接地。R1LP0408CSP-5SI其接地点一般选择为放大器输出一方,而使信号源与地隔离。这样可使负载免受地电位差的影响,从而抑制了地环路噪声干扰。

   一般电子设备低电平级电路是易受干扰电路,多级放大电路若采用串联式单点接地,其接地点应选择在低电平级电路的输入端,以使电路受地电位差的干扰最小。为克服多级放大器各级之间的地电位差相互影响,可采用并联式一点接地(即各级放大器各自直接与系统指定的公共接地点相连)。

   RAM电路设计

   对于数字电路中的RAM电路,其地址和数据总线驱动尽可能靠近存储器,以防止线长引人电感,造成因延迟引起的误动作。当RAM存取速率很高时,一定要注意地址总线和数据总线各自的PCB走线长度尽可能保持一致且尽量短。必要时,可利用PCB布线软件的等长布线功能。为保证布线尽可能短,除缩短与CPU器件之间的距离外,还应优先布线。高速RAM的数据总线上若有过孔(Ⅴh),应让过孔尽可能少,且每条数据`总线上的过孔数及穿越的层数尽量一致。由于高温会加速RAM结点的漏电,所以不能使器件过热,布局时应留有散热空间或采用散热措施。





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