从1917年的Case研制出第一只硫化铊光子探测器问世，到20世纪40年代初，PbS、硒化铅、 JRC2902碲化铅等新材料制备的单元探测器相继出现。伴随着半导体技术的发展推动了红外探测工艺的进步，又出现了InSb、HgCdTe、掺杂Si、PtSi等灵敏度较高的新型器件，然而带隙只有0.22 eV的电学特征决定了这些新型探测器的响应波长不会超过5.7 ym，也只能在中短波范围来使用。1959年Lawso研制出碲镉汞(HgxCdl_xTe)的长波红外探测器，这是红外技术史上的一次重要进展。碲镉汞材料可以通过改变汞的比例达到连续改变该材料带隙在0到0.8 eV之间任意设定，从而实现从红外中波3～5 mm以及长波8～14 mm两个波段的全范围响应。

   近几十年来，红外探测器已由单元发展到线列，由线列发展到凝视阵列探测器，红外凝视阵列探测器的出现，是红外成像系统史上又一个划时代的革命，它把红外成像系统的灵敏度提高了一个数量级，体积相对于光机扫描红外成像系统减少10倍之多，而且从根本上消除了光机扫描方式所固有的弊端，即：扫描过程的非线性，严重影响图像质量；扫描速度的变化和扫描过程中抖动引起目标信息采样点的无规则的变化，从而限制系统精度的提高。

   电荷耦合器件引用到红外探测器后，成功地解决了焦平面上红外探测器阵列输出信号延迟积分和多路传输问题，使得红外焦平面凝视阵列完全实用化，信息率和信噪比也大幅度提高，使热成像系统的结构发生了根本的变革。由于这类器件可以采用集成电路式的制造工艺原则上可以大批量生产，因此可能得到价格较低的红外焦平面阵列器件。尤其是对混成结构的焦平面阵列，探测元件和信息处理元件可分别测试，都合乎标准后才互连，可望有更高些的成品率。由于预见到红外焦平面阵列在军事上应用的重要意义，一些发达国家政府和军事部门都给以巨额资助，所以发展速度极快，尤其是20世纪80年代后期，发展速度更是惊人。