1.Gc、Si、AlGaInP、AlGaInN的禁带宽度分别为0,7cV、1。  lcV、2.OcV和2.7cV,试计算它们对于的发光波长,A085FW01V0并解释为何不将Gc、si材料作为LED的有源层。

   2.某一DH-LED的有源层为GaAs,室温下的禁带宽度约为1.绲cV,试计算发光中心波长和光谱半宽。

   3.试计算LED芯片的远场光强空间分布的全发光角。

   4.试计算超厚顶层透明衬底GaAs乇ED的出光效率,GaAs的折射率为3.6。

   5.试计算图⒋z所示的lW功率LED室温下的结温,设氏妒为10K/W,R仂s3为13K/W,R`乃切为旬铘,输出光功率为0,3W。

   6.峰值波长分别为85011m、绣Onm的AlGaAs、InGaN材料制出的LED的峰值波长温度系数分别为0.28nWK和0.Ⅱ%lnJK,试计算结温1l0℃时相比室温的波长偏移量。

   7,采用红绿蓝(RGB)结构制作白光固态光源(白光LED),设三只LED均为理想光源,即:它们的外量子效率均为100%,光谱密度分布均为矩形,相对光强均为1,谱宽均为⒛nm,设红光LED的发射波长为甾0nm,绿光LED的发射波长为520mn,蓝光LED的发射波长为弱0nm,试计算该白光固态光源的发光效率。(视觉灵敏度数值如下:650nm时为0,107,520nm时为0.71,460nm时为0。∝),设馈给效率乃'g降0.9。