在绝对零度温度下,半导体的价带是满带,受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带M80C154S价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴,导带中的电子和价带中的空穴合称为电子―空穴对,如图3-16所示。半导体中,这两种载流子的浓度是相等的。随着温度的升高,其浓度基本上是按指数规律增长的。

   导带中的电子会落入空穴,使电子一空穴对消失,为复合。复合时产生的能量以电磁辐射或晶格热振动的形式释放。在一定温度下,电子―空穴对的产生和复合同时 图3-16存在并达到动态平衡,此时本征半导体具有一定的载流子 浓度,从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发,从而产生更多的电子―空穴对,这时载流子浓度增加,电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小,载流子浓度对温度变化敏感,所以很难对半导体特性进行控制,因此实际应用不多。