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器件制备

发布时间:2016/10/22 20:58:03 访问次数:382

   ITo玻璃衬底经清洗及等离子体处理后放人真空室内,器件的各层都是在真空下,采用连续蒸发的方法制备。 DAC5688I有掺杂剂时采用共蒸发的方法。Mg:Ag合金电极用双源蒸发制得,最后经密封制成器件。

  1)基片的清洗

   玻璃(IT0)―→稀HCl(掩模)―→条状IT0电极一→水洗除去HCl―→丙酮超声除去有机杂质一→等离子体清洗一→干净的IT0条基片

  2)有机功能薄膜和电极的制备

   (1)有机小分子ELD的制作。

   ①真空镀膜:I04h真空室里,依次蒸镀缓冲层、HTL、EML和ETL,蒸镀电极。有机层厚度控制在15~sOnm,蒸发速率为0.1~1nm/s。

   ②自组装膜制备。

   ③LB膜制备。

   (2)聚合物ELD的制作。

   ①旋涂法:将材料溶解在有机溶剂中,滴加在基板上,甩胶,蒸镀电极。其特点是:简单,膜层均匀无针孔,易于大面积器件。

   ②喷涂(int~jet):用喷墨方式制作三基色像元,易于实现彩色和全色显示工艺简单。

  ③浸取法。

  ④印刷法

  3)器件的封装

  器件的有机材料和金属电极遇到水汽和氧气发生氧化、晶化等物理化学变化,从而失效,必须用环氧树脂对器件封装,或添加分子筛吸湿等。

   ITo玻璃衬底经清洗及等离子体处理后放人真空室内,器件的各层都是在真空下,采用连续蒸发的方法制备。 DAC5688I有掺杂剂时采用共蒸发的方法。Mg:Ag合金电极用双源蒸发制得,最后经密封制成器件。

  1)基片的清洗

   玻璃(IT0)―→稀HCl(掩模)―→条状IT0电极一→水洗除去HCl―→丙酮超声除去有机杂质一→等离子体清洗一→干净的IT0条基片

  2)有机功能薄膜和电极的制备

   (1)有机小分子ELD的制作。

   ①真空镀膜:I04h真空室里,依次蒸镀缓冲层、HTL、EML和ETL,蒸镀电极。有机层厚度控制在15~sOnm,蒸发速率为0.1~1nm/s。

   ②自组装膜制备。

   ③LB膜制备。

   (2)聚合物ELD的制作。

   ①旋涂法:将材料溶解在有机溶剂中,滴加在基板上,甩胶,蒸镀电极。其特点是:简单,膜层均匀无针孔,易于大面积器件。

   ②喷涂(int~jet):用喷墨方式制作三基色像元,易于实现彩色和全色显示工艺简单。

  ③浸取法。

  ④印刷法

  3)器件的封装

  器件的有机材料和金属电极遇到水汽和氧气发生氧化、晶化等物理化学变化,从而失效,必须用环氧树脂对器件封装,或添加分子筛吸湿等。

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