主要方法是切断触发通路及降低其灵敏度,不使寄D1FL/2U生晶体管工作及降低寄生晶体管电流放大系数。

   (1)选材及设计改进。采用SOI/CMOs工艺,在绝缘层衬底上生长一层单晶硅外延层,然后再制作电路,这样从根本上清除了晶间管结构,防止闩锁的发生。

   (2)采用保护环。用保护环抑制闩锁效应是一种有效方法,其结构如图5。⒉所示,N+和芦环都可有效降低横向电阻和横向电流密度。

   图5,24 带保护环的剖面结构

   (3)采用P/P+夕卜延并在阱区设置埋层。如图5,25所示,在重掺杂硅衬底上外延3~7um厚同型轻掺杂硅,减少寄生电阻RW、Rs和NPN管的电流放大系数,可使闩锁效应降低到最低程度。

   (4)改进版图设计。尽可能多开电源孔和接地孔,以增加周界,减小接触电阻。电源孔应放在PMOs和P阱间,减小P阱面积,以便减少辐照所引起的光电流。