20世纪90年代以来， C3225CH2E153KT700N一些研究者对栅氧击穿的物理过程及统计方法提出了一种新的看法，还没有正式名称，这里称为薄栅氧化层与高电场有关的物理／统计模型。

   模型的提出基于下述分析：

   1)质量良好的栅氧化层，在未加应力前的I-V测试中，在产生F-N隧穿电流前，其电流值很低，按面积归一化后J一10-12 Alcm2。在施加电应力后，F-N隧穿前的电流增加，经过多种测试分析，认为是由于氧化层中产生了中性陷阱所致。

   2)氧化层中产生带间碰撞电离所需能量约为氧化层禁带宽度的1.5倍，氧化层禁带宽度约为9eV，所以电子需要能量约为13. 5eV，当栅氧厚度降至22nm以下时，电离碰撞产生电子一空穴对已不大可能。

   3)在栅氧厚度较薄时，击穿时间与栅氧厚度及通过栅氧的电子流无关，只与氧化层上的电场强度有关。