互连布线因电迁移而产生小丘堆积， AD8206引起相邻两条互连线短路，这在微波器件或VLSI中尤为多见。铝在发射极末端堆积，可引起E-B结短路。多层布线的上下层铝条间也会因电迁移发生短路等。

   断路

   在金属化层跨越台阶处或有伤痕处，应力集中，电流密度大，可因电迁移而发生断开。铝条也可因受到水汽作用产生电化学腐蚀而开路。

   参数退化

   电迁移还可引起EB结击穿特性退化，电流放大系数^FE变化等。

  抗电迁移措施

   1．设计

   合理进行电路版图设计及热设计，尽可能增加条宽，降低电流密度，采用合适的金属化图形（如网络状图形比梳状结构好），使有源器件分散。增大芯片面积，合理选择封装形式，必要时加装散热器防止热不均匀性和降低芯片温度，从而减小热阻，有利于散热。

   2．工艺

   严格控制工艺，加强镜检，减少膜损伤，增大铝晶粒尺寸，因为大晶粒铝层结构的无规律性变弱，晶界扩散减少，激活能提高，中位寿命增加。蒸铝时提高芯片温度，减缓淀积速度及淀积后进行适当热处理可获得大晶粒结构，但晶粒过大会妨碍光刻和键合，晶粒尺寸宜选择得当。工艺中也应该使台阶处覆盖良好。