其次，为防止外界水分、AD620ANZ杂质等的侵入，芯片外一般加有保护的钝化膜。钝化层原来采用磷硅玻璃，后来采用等离子体氮化硅膜。这种膜中含有氢，氢的原子半径很小，极易扩散进入栅下Si-Si0。界面处，取代氧与硅形成Si-H、Si-OH键，热载流子的注入使 Si-H、Si-OH键破坏，在氧化层中形成Q，。或Q。。，从而使热流子效应严重。针对这一问题，可用化学气相沉积的氮化硅膜保护栅极区来防止氢原子扩散进入。

   一些研究证明，工作在交流条件下器件热载流子的退化比直流条件下更严重。

   漏极附近电场强度的增加是引发沟道热载流子效应的原因，因此，要减轻漏极附近的场强，比较有效的措施是采用轻掺杂源一漏(Lightly Doped Drain-Source，LDDS)结构，使雪崩注入区向硅衬底下移，离开栅界面处，。

   对深亚微米器件，还可采用P-I-N漏MOSFET结构来抑制热载流子效应，所谓P-I-N漏结构是在常规沟道区的源一漏端赴降低掺杂浓度至接近本征的lois／cn3～l016／Cm3（N沟道仍为P区），可进一步降低近漏端电场强度。

   此外，工作时限制V DS及VBS的大小，也可改善热载流子效应。