半导体激光器是以半导体材料作为工作物质的激光器，如砷化镓GaAs、硫化镉CdS、铅锡碲PbSnTe等。外界激发源的激发方式有PN结正向注入、NNCD4.3D-T1-A/B电子束激发、光激发及粒子碰撞电离激发等。PN结正向注入半导体激光器又称结型激光器。

   半导体激光器的原理与前面讨论过的发光二极管没有太大差异，PN结就是激活介质。囹2.18所示为砷化镓同质结二极管激光器的结构，两个与结平面垂直的晶体解理面构成了谐振腔。PN结通常用扩散法或液相外延法制成。当PN结正向注入电流时，则可激发激光。

   根据材料及结构的不同，目前半导体激光器的波长为0.33～44 ym。光输出一电流特性如图2.19所示，其中受激发射曲线与电流轴的交点就是该激光器的阈值电流，它表示半导体激光器产生激光输出所需的最小注入电流。阈值电流还会随着温度的升高而增大。阈值电流密度是衡量半导体激光器性能的重要参数之一，其数值与材料、工艺、结构等因素密切相关。

   半导体激光器体积小，质量小，寿命长，具有较高的转换效率。如砷化镓激光器的效率可达20%，寿命超过10 000小时。半导体激光器是目前最受重视的激光器，商品化程度高。随着半导体技术的快速发展，新型的半导体激光器也不断出现。目前可制成单模或多模、单管或列阵，波长为0.4～1.6“m，功率由毫瓦数量级到瓦数量级的多种类型半导体激光器。它们可应用于光通信、光存储、光集成、光计算机和激光器泵浦、光学测量、自动控制等方面。

   以上介绍了4种不同类型的激光器。实用激光器的类型很多，各种类型激光器的性能差异比较大，因此在选用时，还需根据实际要求做出相应的选择，这里不再逐一介绍。