光电效应又可以分成内光电效应与外光电效应。内光电效应是吸收外部光线中的能量后，FX0380带电微粒仍在物体内部运动，只是使物体的导电性发生了较大变化的现象，它是半导体图像传感器的核心技术；外光电效应则是受外来光线中能量激发的微粒逃逸出物体表面，形成空间中的众多自由粒子的现象，真空摄像管、图像增强器等元器件就是根据这一原理工作。可以说，光电效应是图像检测的基础。

   CCD图像传感器于1969年在美国贝尔试验室研制成功，发展历程已40多年，以其成熟稳定的技术、清晰的图像，在高端数码产品中具有优势。这种传感器可分为线型( Linear)与面型(Area)两种，前者应用于影像扫描器及传真机上，后者则主要应用于数码相机( DSC)、摄录影机、监视摄影机等影像输入产品中。两种类型的组成单元都是电荷耦合器件（CCD器件）。

   (1)电荷耦合器件。电荷耦合器件是一种在大规模集成电路技术发展的基础上产生的，具有存储、转移并读出信号电荷功能的半导体器件，其基本组成部分是MOS电容和读出移位寄存器。

  MOS电容的结构，宅是在P型半导体基片上形成一层氧化物，在氧化物上再沉积出一层金属电极，从而形成一种金属电极一半导体氧化物一半导体的结构，即MOS电容。