热载流子效应的原因在于氧化层中注入电荷及界面态的产生，它使器件的VT漂移、g。 AD8315ARM-REEL减少及亚阈值电流摆幅漂移，即引起器件性能退化。如果用△V，来表征界面陷阱产生情况，若将VT的漂移量达lOmV时所经历的时间定义为对应于产生一定量界面态所需的

应力时间r，则器件寿命与测得的漏电流I。和J。。。的关系为式中，C是常数，W为沟道宽度，m一9i。／Pi，9．．是沟道电子产生界面陷阱所需能量，约3. 5eV，仍是碰撞离化所需最低能量，约1.3eV。因此，在不同时期测定Id及，就可估计热载流子退化对寿命r的影响。

   实际上MOS器件的退化是不均匀的，N沟道MOS管的退化主要发生在漏极附近的高电场区，对非均匀氯化层电荷和界面陷阱分布的沟道，阈值电压的物理意义已经不够确切。而且当器件工作在低栅压区(VG。《V DS/2)及接近VDS时，阈值电压的漂移非常小，这是由于氧化层中俘获电荷屏蔽了界面陷阱效应的缘故。如果将AICP达到一定数量（如lpA]弘m沟道宽）所需应力时间作为寿命r的定义，则可得到与上述Tld～I。。b/ld之间的类似关系。但用于热载流子退化的寿命预计尚有一些问题，有待进一步研究。