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敏感元件的温度变化及热释电流与辐射频率之间的关系

发布时间:2015/6/12 18:34:39 访问次数:930

   由前述分析,G28F008S3120红外敏感元件吸收红外辐射,因热释效应而产生热到电的转换,其转换过程能够产生的热释电电流正比于温度变化率和探测器表面面积,满足的关系如下:

     在假设红外辐射通量痧;为1prrLo,敏感元件为钽酸锂晶片,厚度为t,= 25 ym,敏感元件的吸收面积为As=2×2rrirr12,r,=a =1,Hp=310 y,Ws/K,热时间常数为斯=159ms,热导率为Gr=1.95W/m.K,CP=3.1J/cm3/K,p=17nC/cm2/K,而获得的温度与辐射频率、短路输出电流与辐射频率之间的关系曲线图。

   从图3-25中可以看出,温度变化随频率的变化呈现低通特性,短路电流随频率的变化呈现高通特性,同时可以看出1Hz是两者的频率拐角点,。其温度变化在拐角点频率值以下达到饱和值约513 p.K,短路电流在拐角点频率值以上达到饱和值,约2. 2pA。其拐角点频率fT起因于热时间常数,可根据下等式计算得出:

   由前述分析,G28F008S3120红外敏感元件吸收红外辐射,因热释效应而产生热到电的转换,其转换过程能够产生的热释电电流正比于温度变化率和探测器表面面积,满足的关系如下:

     在假设红外辐射通量痧;为1prrLo,敏感元件为钽酸锂晶片,厚度为t,= 25 ym,敏感元件的吸收面积为As=2×2rrirr12,r,=a =1,Hp=310 y,Ws/K,热时间常数为斯=159ms,热导率为Gr=1.95W/m.K,CP=3.1J/cm3/K,p=17nC/cm2/K,而获得的温度与辐射频率、短路输出电流与辐射频率之间的关系曲线图。

   从图3-25中可以看出,温度变化随频率的变化呈现低通特性,短路电流随频率的变化呈现高通特性,同时可以看出1Hz是两者的频率拐角点,。其温度变化在拐角点频率值以下达到饱和值约513 p.K,短路电流在拐角点频率值以上达到饱和值,约2. 2pA。其拐角点频率fT起因于热时间常数,可根据下等式计算得出:

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