SN74HC595DR的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
SN74HC595DR
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
1414956161
零件包装代码
SOIC
包装说明
GREEN, PLASTIC, MS-012AC, SOIC-16
针数
16
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia, Mexico
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.39.00.01
风险等级
0.48
Samacsys Description
8-Bit Shift Register 3-ST SN74HC595DRG4 SN74HC595DR, 8-stage Shift Register, Serial to Serial/Parallel, 2 ???????? 6 V, 16-Pin SOIC%0
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
其他特性
PARALLEL OUTPUT IS REGISTERED; UNREGISTERED SERIAL SHIFT RIGHT OUTPUT
计数方向
RIGHT
系列
HC/UH
JESD-30 代码
R-PDSO-G16
JESD-609代码
e4
长度
9.9 mm
负载电容（CL）
50 pF
逻辑集成电路类型
SERIAL IN PARALLEL OUT
最大频率@ Nom-Sup
25000000 Hz
最大I（ol）
0.0078 A
湿度敏感等级
1
位数
8
功能数量
1
端子数量
16
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
输出特性
3-STATE
输出极性
TRUE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP16,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
包装方法
TR
峰值回流温度（摄氏度）
260
最大电源电流（ICC）
0.08 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup
34 ns
传播延迟（tpd）
200 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
座面最大高度
1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)
6 V
最小供电电压 (Vsup)
2 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
触发器类型
POSITIVE EDGE
宽度
3.9 mm
最小 fmax
24 MHz
SN74HC595DR 移位寄存器研究
摘要：SN74HC595DR是一种广泛应用于数字电路中的8位串行输入并行输出移位寄存器。其主要功能是将串行输入的数据转换为并行输出，广泛应用于多种电子设备和控制系统中。本文将从SN74HC595DR的工作原理、特性、应用领域以及设计考虑等多个方面进行深入探讨。
一、引言 移位寄存器是一种用于数据存储和移位的基本数字电路元件。SN74HC595DR作为一种高性能的移位寄存器，其设计基于CMOS技术，具有高速度、低功耗等优点。其主要应用于各种需要数据串行输入和并行输出的场合，例如LED显示驱动、自动控制系统以及数码管显示等。
二、SN74HC595DR的工作原理 SN74HC595DR的基本工作原理是通过串行输入接收数据，然后将其存储在内部寄存器中，最终通过并行输出将数据发送到负载设备。该芯片包含两个主要功能模块：移位寄存器和并行输出寄存器。
当SN74HC595DR接收到串行数据时，首先通过数据输入端口DS进行输入。在每次时钟信号的上升沿（SH_CP）到来时，输入数据将被移入移位寄存器中，每个数据位向右移动一个位置。这一过程会一直持续到所有8位数据全部输入完成。完成数据输入后，用户可以通过状态控制端口（RCK）将这些数据从移位寄存器转移到并行输出寄存器。
并行输出寄存器的输出可以在任意时刻通过输出使能端口（OE）进行控制。在OE端口为低电平时，输出保持有效状态；当OE为高电平时，输出将被禁用。这种设计使得SN74HC595DR在多个设备控制时具有极大的灵活性。
三、SN74HC595DR的主要特性 1. 输入和输出特性 SN74HC595DR具有8位的并行输出和串行输入能力，其输入电压范围宽，能够兼容TTL和CMOS逻辑电平。其输出电流能力可达到20mA，显示驱动能力强，适用于多种负载设备。
2. 工作电源 该芯片的工作电压范围为2V到6V，适应性强，可以广泛应用于不同电源条件下的电路设计。
3. 工作频率 SN74HC595DR的最大时钟频率可以达到75MHz，满足高速信号处理需求，适用于高速数据传输的场景。
4. 封装和集成 SN74HC595DR通常采用DIP和SOIC封装形式，不仅便于焊接和安装，还方便与其他电路元件的集成。
四、SN74HC595DR的应用领域 1. LED驱动 在LED显示中，SN74HC595DR可以用于控制多个LED的开启与关闭。通过只需几根控制线，可以实现对大量LED的独立控制。
2. 数码管显示 在数字显示电路中，SN74HC595DR可以与数码管配合使用，有效简化电路结构，提高整体显示的响应速度。
3. 自动控制系统 在自动化控制中，SN74HC595DR可以用作多路开关控制，在不同的条件下控制多个电气设备的工作状态，实现复杂控制逻辑。
4. 音频设备控制 在音频信号处理中，该移位寄存器可用于控制数字音频信号的传输，实现音频信号的选择和分配。
五、设计考虑 在设计应用SN74HC595DR的电路时，需要考虑以下几个方面：
1. 时序设计 由于SN74HC595DR的工作依赖于准确的时钟信号，因此设计时需确保时钟信号的稳定性和时序的准确性，以避免数据错误。
2. 电源稳定性 芯片的工作电源电压必须保持在规定范围内，否则会导致芯片无法正常工作。因此应考虑适当的电源滤波与稳压措施。
3. 输出驱动能力 在连接负载时，需要注意SN74HC595DR的输出驱动能力，避免超出其20mA的输出电流限制，以确保芯片的可靠性和稳定性。
4. 加法器与反馈电路设计 在某些应用中，可能需要设计加法器或反馈电路以实现更复杂的逻辑，因此在设计过程中需要对逻辑电路进行详细规划。
六、实例分析 通过一个LED驱动电路的实例，可以更好地理解SN74HC595DR的实际应用。在这个电路中，通过一个Arduino板作为主控动，利用Arduino的数字输出端口控制SN74HC595DR的输入，进而通过多个输出端口控制不同的LED灯。这个方案可以极大地减少控制线的数量，同时提升了控制的灵活性。具体的电路连接和程序示例可以参考Arduino的相关文档。
在实际使用中，SN74HC595DR因其兼容性和高效性能，被广泛应用于各类电子项目中。它对于学习和研究数字电路设计的师生、工程师也具备重要的参考价值，因为它不仅简单易用，而且能够提供丰富的设计练习机会。
综上所述，SN74HC595DR是一种高效、方便的现代数字电子元件，对于实现多种数字逻辑功能、控制复杂电路的需求具有重要的意义。
SN74HC595DR
TI(德州仪器)
O3853QDCARQ1
TI(德州仪器)
TJA1050T/CM
NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU
Microchip(微芯)
STM32F030F4P6
TI(德州仪器)
LIS3DHTR
ST(意法)
DSP56F803BU80E
MOTOROLA(摩托罗拉)
STM32F411CEU6
ST(意法)
STM32G070CBT6
ST(意法)
MAX13487EESA
Maxim(美信)
STM32F427ZGT6
ST(意法)
ATMEGA88PA-AU
Atmel(爱特梅尔)
ADS1258IRTCR
ADI(亚德诺)
MBRA340T3G
ON(安森美)
TPS54331DR
TI(德州仪器)
NUP2105LT1G
NXP(恩智浦)
STM32G030C8T6
ST(意法)
MAX3232ESE
Maxim(美信)
VNH5019ATR-E
TI(德州仪器)
W25Q64JVSSIQ
WINBOND(华邦)
ADSP-21060LCW-160
ADI(亚德诺)
LPC1788FBD208
NXP(恩智浦)
5CEFA7F23I7N
ALTERA(阿尔特拉)
NTD2955T4G
ON(安森美)
MC34063ADR2G
MOTOROLA(摩托罗拉)
MK70FX512VMJ15
NXP(恩智浦)
NRF52840-QIAA-R
NORDIC
STM32L151RET6
ST(意法)
ISO3082DWR
TI(德州仪器)
LIS2DH12TR
ST(意法)
STM32F429IIT6
ST(意法)
VND7012AYTR
ST(意法)
NCP1117ST33T3G
ON(安森美)
LM3481QMMX
TI(德州仪器)
AT24C02C-SSHM-T
TI(德州仪器)
MCIMX6D6AVT10AD
NXP(恩智浦)
FT232RL-REEL
FTDI(飞特帝亚)
STM8L052R8T6
ST(意法)
ATMEGA328P-PU
Atmel(爱特梅尔)
MCF52259CAG80
Freescale(飞思卡尔)
VNH3SP30TR-E
ST(意法)
XCF32PFSG48C
XILINX(赛灵思)
W25Q32JVSSIQ
WINBOND(华邦)
CKS32F030C8T6
EPCS16SI8N
ALTERA(阿尔特拉)
STM32F107VCT6
ST(意法)
ADXL355BEZ
ADI(亚德诺)
GD32F103CBT6
TI(德州仪器)
CY62167EV30LL-45ZXA
Cypress(赛普拉斯)
STM32F427VIT6
ST(意法)
LMZ31710RVQR
TI(德州仪器)
ATMEGA168PA-AU
Atmel(爱特梅尔)
MBRS540T3G
ON(安森美)
MBRD835LT4G
ON(安森美)
MBRS340T3G
Freescale(飞思卡尔)
TPA3116D2DADR
TI(德州仪器)
BAV99
Diodes(美台)
5CEFA9F23I7N
ALTERA(阿尔特拉)
74HC14D
XINBOLE(芯伯乐)
STM8S005K6T6C
ST(意法)
STM32G070RBT6
ST(意法)
STM32F429ZIT6
ST(意法)
NCP1654BD133R2G
ON(安森美)
MK60FN1M0VLQ12
Freescale(飞思卡尔)
MAX485ESA
Maxim(美信)
MURS120T3G
ON(安森美)
MAX13487EESA+T
Maxim(美信)
LM3481MM/NOPB
TI(德州仪器)
STM32F401RCT6
ST(意法)
TPS2HB16BQPWPRQ1
TI(德州仪器)
LTM4644IY
LINEAR(凌特)
EPCS4SI8N
XILINX(赛灵思)
CP2102-GMR
SILICON LABS(芯科)
TL431AIDBZR
NXP(恩智浦)
TPS5450DDAR
TI(德州仪器)
MT41K256M16TW-107:P
micron(镁光)
MBRS3200T3G
ON(安森美)
STM32F105RBT6
ST(意法)
STM32F105VCT6
ST(意法)
MC7805BDTRKG
ON(安森美)
S9KEAZ128AMLH
NXP(恩智浦)
ATMEGA128-16AU
Atmel(爱特梅尔)
MC78M05CDTRKG
ON(安森美)
AD8479ARZ
ADI(亚德诺)
THS4521IDGKR
TI(德州仪器)
TXS0102DCUR
TI(德州仪器)
STM32F103R8T6
ST(意法)
LTM4644IY#PBF
ADI(亚德诺)
BTS724G
Infineon(英飞凌)
MC33079DR2G
ON(安森美)
BTS6143D
Infineon(英飞凌)
ATMEGA328PB-AU
Microchip(微芯)
AD620ARZ
ADI(亚德诺)
GD32F103VCT6
GD(兆易创新)
TMS320F2812PGFA
TI(德州仪器)
TPS63020DSJR
TI(德州仪器)
NTF2955T1G
ON(安森美)
IRF4905PBF
Vishay(威世)
LM393DR
TI(德州仪器)
OP07CDR
TI(德州仪器)
