BC847BDW1T1G的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
BC847BDW1T1G
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
2011132257
零件包装代码
SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD
针数
6
制造商包装代码
419B-02
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
10 weeks
风险等级
0.89
Samacsys Description
BC847BDW1T1G, Dual NPN Bipolar Transistor, 0.1 A 45 V HFE:200 100 MHz Small Signal, 6-Pin SC-88
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
7
最大集电极电流 (IC)
0.1 A
集电极-发射极最大电压
45 V
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)
200
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
6
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.38 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
100 MHz
BC847BDW1T1G 双极性晶体管的特性与应用分析
引言
双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）是一种广泛应用于电子电路中的基本元件。作为一种电子开关和放大器，BJT广泛应用于各种电子设备中。BC847BDW1T1G是一款NPN型双极性晶体管，具有低功耗、高增益等特点，适合用于各种中小功率电子电路中。本文将对BC847BDW1T1G的结构特性、工作原理、主要参数及其应用进行详细探讨。
BC847BDW1T1G的结构特性
BC847BDW1T1G是一款NPN晶体管，其内部结构由三层半导体材料构成，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。发射极是掺杂浓度较高的N型半导体，基极为掺杂浓度较低的P型半导体，而集电极则为掺杂浓度较高的N型半导体。由于这种结构，BC847BDW1T1G可以有效地控制电子的流动，使其具备放大和开关功能。
晶体管的封装形式对其散热性能和使用环境具有重要影响。BC847BDW1T1G采用SOT-23封装，尺寸小巧，适合在空间有限的电路板上使用。该封装具有较好的热性能和电气特性，使得晶体管能够在一定温度范围内稳定工作。
工作原理
BC847BDW1T1G的工作原理基于霍尔效应和电子流动的控制。在静态状态下，基极施加一个小电流能够控制集电极和发射极之间的电流。具体来说，当发射极与基极之间施加正向电压时，电子从发射极注入到基极，形成电子流。由于基极区域较小，只有一部分电子能够与基极的空穴结合，从而在基极产生小的电流变化。这一小电流的变化则能够引起较大集电极与发射极之间的电流变化，实现电流放大。
在BC847BDW1T1G的工作过程中，输入的信号电流通过基极流入，而输出的信号电流则从集电极流出。此时，集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）之间的关系可以用放大倍数（β）来表示，通常β的值在100以上。这意味着，经过BC847BDW1T1G的放大，输入的微小电流便可以变成较大的输出电流，进而驱动其他更高功率的元件。
主要参数分析
在评估BC847BDW1T1G的性能时，需要关注其主要参数，包括最大集电极电压（Vce）、最大集电极电流（Ic）、功耗（Ptot）、直流电流增益（hFE）等。BC847BDW1T1G的最大集电极电压为45V，最大集电极电流为100mA，功耗最大为500mW，直流电流增益通常在100到800之间。这些参数使得BC847BDW1T1G在低功耗和中高频电路中特别受到欢迎。
此外，其封装和材料的选择也影响其电气特性。采用高质量的硅材料和合适的封装形式，有助于降低寄生电容和电感，有效提高工作频率范围。BC847BDW1T1G最适合用于中等频率（如几十kHz）的放大电路和快速开关电路中，能充分发挥其特性。
应用领域
BC847BDW1T1G因其优异的性能，被广泛应用于各种电子产品中。在音频放大电路中，BC847BDW1T1G常作为输入级放大器，用来增强信号强度。在开关电路中，其也常用作开关元件，用于控制电流流动。
在数字电路中，BC847BDW1T1G常被用于构建逻辑门电路，以实现信息的处理与转换。它也是各种传感器电路、功率放大器和振荡器电路中的重要构成部分。由于其小巧的外形和良好的散热性能，使得BC847BDW1T1G也适用于各种便携式设备，因而在现代电子设备中占有重要的地位。
在电源管理方面，BC847BDW1T1G能够有效控制开关电源的工作，提升电源转换效率。其高增益特性使其在电源外设的驱动电路中扮演着重要角色。此外，它还能用于电流源和电压源等电源电路的设计中，确保电力的稳定输出。由于其良好的线性特性，BC847BDW1T1G也常用于放大器，用于传感器信号的放大处理。
在遥控设备和无线电通信中，BC847BDW1T1G同样发挥着重要作用。其可用于调制解调器、无线发射器及接收器等电路中，是实现无线信号传输和处理的关键元件之一。通过合理设计电路，使得BC847BDW1T1G能够实现信号的稳定传输与转换。
综上所述，BC847BDW1T1G双极性晶体管因其优良的电气特性与广泛的应用领域，已成为现代电子电路中的一款重要元件。在从音频电路到开关电源、数字电路及无线通信中，BC847BDW1T1G均发挥着不可或缺的作用。随着电子技术的不断发展，该晶体管的应用前景也将更加广阔。
BC847BDW1T1G
ON(安森美)
BZX84-C5V1
CJ(江苏长电/长晶)
TS5A3359DCUR
TI(德州仪器)
FDS6690A
Freescale(飞思卡尔)
KSZ8852HLEWA
Microchip(微芯)
MT48LC16M16A2P-75IT:D
MIC(昌福)
BAV21W-7-F
Diodes(美台)
ABA-52563-TR1G
Agilent(安捷伦)
STM32G071KBU6
ST(意法)
TM1638
TMTECH ( 凯鈺 )
1N4148WS-E3-08
Vishay(威世)
MPX53DP
Freescale(飞思卡尔)
SI5341B-D-GM
Skyworks(思佳讯)
TCA9554PWR
TI(德州仪器)
BCP53-16
NXP(恩智浦)
LM2575D2T-5R4G
ON(安森美)
SN74LVC32APWR
TI(德州仪器)
ATMEGA1284P-MU
Atmel(爱特梅尔)
ATMEGA88V-10AU
Atmel(爱特梅尔)
MCP604T-I/SL
Microchip(微芯)
SM8082AAAC
SILERGY(矽力杰)
NHP220SFT3G
ON(安森美)
AD22100STZ
ADI(亚德诺)
LV8731V-TLM-H
ON(安森美)
STN1HNK60
ST(意法)
LP2985-10DBVR
TI(德州仪器)
SN74HC541PWR
TI(德州仪器)
XC7Z030-1FBG676C
XILINX(赛灵思)
ESD8472MUT5G
ON(安森美)
MPXAZ6115APT1
Freescale(飞思卡尔)
TPS65132WRVCR
TI(德州仪器)
CS4398-CZZR
CirrusLogic(凌云逻辑)
STC8H1K08-36I-TSSOP20
STC(宏晶)
ADG904BCPZ-REEL7
ADI(亚德诺)
24AA256T-I/SN
Microchip(微芯)
AD2S90APZ
ADI(亚德诺)
ADG1414BRUZ-REEL7
ADI(亚德诺)
GRM31CR61E476ME44L
MURATA(村田)
PIC16F1829T-I/SS
Microchip(微芯)
XC3S500E-4FTG256I
XILINX(赛灵思)
D44VH10G
ON(安森美)
KSZ9031MNXCA
Microchip(微芯)
MMBZ27VALT1G
ON(安森美)
XTR117AIDGKT
TI(德州仪器)
FDBL86062-F085
ON(安森美)
ADM3222ARWZ
ADI(亚德诺)
BTS5030-2EKA
Infineon(英飞凌)
DRV8833RTYR
TI(德州仪器)
MCP6004-I/SL
Microchip(微芯)
TLV71318PDQNR
TI(德州仪器)
2SC2412KT146R
Rohm(罗姆)
MC7824CTG
ON(安森美)
CYW43438KUBGT
Cypress(赛普拉斯)
DRV8842PWPR
TI(德州仪器)
EM2120L01QI
INTEL(英特尔)
EM357-RTR
SILICON LABS(芯科)
PESD15VL1BA
NXP(恩智浦)
ADA4940-2ACPZ-R7
ADI(亚德诺)
CDSOD323-T03
Bourns(伯恩斯)
XC2C64A-7QFG48C
XILINX(赛灵思)
XTR105U
TI(德州仪器)
NTGS5120PT1G
ON(安森美)
JS28F256P30BFE
micron(镁光)
STW25N80K5
ST(意法)
W25Q256JWEIQ
WINBOND(华邦)
LM2904AVQDRQ1
TI(德州仪器)
MCIMX357CJQ5C
Freescale(飞思卡尔)
TL431BIDR
TI(德州仪器)
VN610SPTR-E
ST(意法)
XC3S50A-4VQG100I
XILINX(赛灵思)
AR9344-DC3A
Qualcomm(高通)
AD2S1210CSTZ
ADI(亚德诺)
MT25QU256ABA8E12-1SIT
micron(镁光)
SPC5200CVR400B
MOTOROLA(摩托罗拉)
STM32G431C8T6
ST(意法)
STM32WB5MMGH6TR
ST(意法)
TLV70333DBVR
TI(德州仪器)
W25Q16DVSSIG
WINBOND(华邦)
IRFH5300TRPBF
Infineon(英飞凌)
MCIMX27VOP4A
NXP(恩智浦)
SN75DP159RSBR
TI(德州仪器)
IP804A
IC PLUS(九阳电子)
IT8786E-I/BX
ITE
SI8642ED-B-ISR
SILICON LABS(芯科)
TPA6205A1DGNR
TI(德州仪器)
W25Q64JWSSIQ
WINBOND(华邦)
ADM2481BRWZ
ADI(亚德诺)
ATSAM4S16CA-AU
Atmel(爱特梅尔)
EFM8BB10F8G-A-QFN20R
SILICON LABS(芯科)
IRF520NPBF
Infineon(英飞凌)
ISO7763FDW
TI(德州仪器)
LM2574N-5G
ON(安森美)
AD680ARZ
ADI(亚德诺)
FQD10N20CTM
Freescale(飞思卡尔)
ICL7650SCPDZ
Intersil(英特矽尔)
M4A5-128/64-10VNC
Lattice(莱迪斯)
SIM7600G-H
SIMCOM(芯讯通无线)
W83627DHG-P
Nuvoton(新唐)
AT89C2051-24PI
Atmel(爱特梅尔)
L9945TR
ST(意法)
XC3SD1800A-4CSG484I
XILINX(赛灵思)
IRF1407PBF
Infineon(英飞凌)
IRFS7440TRLPBF
Infineon(英飞凌)
