FDB1D7N10CL7 是一款MOS管 品牌：ONSEMI/安森美 封装：TO-263-6 引脚数：6 PIN（800个/圆盘）
此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
FDB1D7N10CL7的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
FDB1D7N10CL7
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
145037548600
包装说明
D2PAK-7/6
制造商包装代码
418AY
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
47 weeks
风险等级
7.42
Samacsys Description
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2023-10-12 09:53:10
YTEOL
5.9
雪崩能效等级（Eas）
595 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
268 A
最大漏源导通电阻
0.00175 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
80 pF
JEDEC-95代码
TO-263CB
JESD-30 代码
R-PSSO-G6
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
245
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
1390 A
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间（toff）
194 ns
最大开启时间（吨）
116 ns
本公司主营是二三极管，MOS管和逻辑IC等，这边有ON，TI，ST，NXP，美台，微芯和英飞凌等一系列的原装进口的电子元器件，如果你这边有需要的话，可以加上面的联系方式，或者有其他的问题，这边也是可以添加联系方式
下面公司热销的库存
FDB1D7N10CL7
Fairchild(飞兆/仙童)
MSP430F2370IRHAR
TI(德州仪器)
24LC08BT-I/OT
Microchip(微芯)
AG302-63G
Mini-Circuits
ISL68127IRAZ-T
Intersil(英特矽尔)
M3062LFGPGP#U5C
Renesas(瑞萨)
NCV7805BDTRKG
ON(安森美)
OP291GSZ
ADI(亚德诺)
AT25SF081-SSHD-T
Atmel(爱特梅尔)
FAN7842MX
ON(安森美)
INA180A4IDBVR
TI(德州仪器)
L78L12ACUTR
ST(意法)
PIC16LF1508-I/SS
Microchip(微芯)
STTH2003CT
ST(意法)
AD822AR
ADI(亚德诺)
CSD97374Q4M
TI(德州仪器)
MP2236GJ-Z
MPS(美国芯源)
MT40A512M16TB-062E:J
micron(镁光)
ADM3307EACPZ
ADI(亚德诺)
BALF-NRG-01D3
ST(意法)
BTS3028SDR
Infineon(英飞凌)
INA199A2DCKR
TI(德州仪器)
NCP1014ST100T3G
ON(安森美)
BQ27546YZFR-G1
TI(德州仪器)
SN65HVD10QDR
TI(德州仪器)
LTK5128D
M27C1001-10F1
ST(意法)
NSI83085E-DSWR
STM32G474RBT6
ST(意法)
VO1263AAC
Vishay(威世)
24AA64FT-I/OT
Microchip(微芯)
MC9S08AC32CFGE
Freescale(飞思卡尔)
AD9736BBCZ
ADI(亚德诺)
AFBR-2528CZ
Avago(安华高)
BL24C512A-PARC
BELLING(上海贝岭)
IPD70R360P7S
Infineon(英飞凌)
K4UBE3D4AA-MGCR
SAMSUNG(三星)
LIS2DS12TR
ST(意法)
STGD18N40LZT4
ST(意法)
AUIPS2051LTR
TI(德州仪器)
MC56F8257MLH
Freescale(飞思卡尔)
AD7814ARTZ
ADI(亚德诺)
TPS82085SIL
TI(德州仪器)
ATECC608A-MAHDA-T
Microchip(微芯)
STM32F423RHT6
ST(意法)
APDS-9301-020
Avago(安华高)
AUIPS7111S
IR(国际整流器)
CUS10S30
TOSHIBA(东芝)
H27U1G8F2BTR-BC
SK(海力士)
KSZ8081MNXCA
Micrel(麦瑞)
PIC10F202T-I/OT
Microchip(微芯)
QCA9563-AL3A
Qualcomm(高通)
TJA1052IT/5
NXP(恩智浦)
5CEFA2F23C8N
ALTERA(阿尔特拉)
ADM3075EARZ-REEL7
ADI(亚德诺)
CAT809RTBI-GT3
ON(安森美)
IPP60R190C6
Infineon(英飞凌)
MT48LC16M16A2B4-6AIT:G
micron(镁光)
XC6SLX25-3FGG484C
XILINX(赛灵思)
HMC435MS8G
Hittite Microwave
MK82FN256VDC15
NXP(恩智浦)
SCLT3-8BT8
ST(意法)
ADAU7002ACBZ-R7
ADI(亚德诺)
LTC2418CGN#PBF
LINEAR(凌特)
N76E885AT28
Nuvoton(新唐)
AD820AR
ADI(亚德诺)
ADA4610-2ARZ
ADI(亚德诺)
ATA6564-GBQW1
Microchip(微芯)
FM25V20A-G
Cypress(赛普拉斯)
MTFC4GACAJCN-4M
micron(镁光)
NRVUD620CTT4G
ON(安森美)
STD25N10F7
ST(意法)
TQP3M9019
Qorvo(威讯联合)
ADG1612BRUZ
ADI(亚德诺)
LM1085IS-ADJ
NS(国半)
MCF52233CAL60
Freescale(飞思卡尔)
MCIMX253DJM4A
Freescale(飞思卡尔)
MK61FX512VMJ12
NXP(恩智浦)
NRVUA120VT3G
ON(安森美)
OPA547FKTW
TI(德州仪器)
PBSS4350X
Nexperia(安世)
AD8022ARZ
ADI(亚德诺)
ADRF5730BCCZN
ADI(亚德诺)
ATTINY25-20PU
Atmel(爱特梅尔)
OPA2237UA
TI(德州仪器)
TCAN1057AVDRQ1
TI(德州仪器)
W9825G6JH-6
WINBOND(华邦)
ADUM7440ARQZ
ADI(亚德诺)
CY91F467DBPVSR-GS-UJE2
Infineon(英飞凌)
ICM-20608-G
TDK InvenSense(应美盛)
LBEE5KL1DX-883
MURATA(村田)
LP2951CMX
ON(安森美)
MCIMX27LVOP4A
NXP(恩智浦)
MSP430F4250IDL
TI(德州仪器)
STM32F411CCU6
ST(意法)
STM8L152R6T6
ST(意法)
XC7Z015-2CLG485E
XILINX(赛灵思)
AD5664RBRMZ-5
ADI(亚德诺)
ADW22280ZC
ADI(亚德诺)
BULD742CT4
ST(意法)
HI-3593PCI
Holt Integrated Circuits Inc.
S912XET256W1MAG
NXP(恩智浦)
2SC4617GZTLR
Rohm(罗姆)
