FDMS86101 是一款 MOS管 品牌：ONSEMI/安森美 封装：Power(5x6) 引脚数：8 PIN（3000个/圆盘）
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
FDMS86101的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
FDMS86101
Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2061990171
零件包装代码
QFN
包装说明
ROHS COMPLIANT, POWER56, 8 PIN
针数
8
制造商包装代码
8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
2.65
雪崩能效等级（Eas）
135 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
12.4 A
最大漏源导通电阻
0.008 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
MO-240AA
JESD-30 代码
R-PDSO-N5
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
5
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
104 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
200 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
本公司主营是二三极管，MOS管，逻辑IC等，这边有ON、ST 、TI、ADI、NXP、英飞凌、美台、微芯等一系列的原装进口的电子元器件，如果你这边有需要的话，或者有其他的问题，可以加上面的联系方式，
FDMS86101
ON(安森美)
MCIMX6D6AVT08AD
Freescale(飞思卡尔)
XC3S250E-4TQG144C
XILINX(赛灵思)
XCKU15P-2FFVA1156E
XILINX(赛灵思)
QPA9501TR13
Qorvo(威讯联合)
ADM2486BRWZ
ADI(亚德诺)
SY8008BAAC
SILERGY(矽力杰)
AD8210YRZ
ADI(亚德诺)
ADM1485ARZ
ADI(亚德诺)
AD8032ARZ
ADI(亚德诺)
MSP430F5418AIPN
TI(德州仪器)
MK10DN32VFM5
NXP(恩智浦)
AD5780ACPZ
ADI(亚德诺)
MK60FN1M0VMD12
NXP(恩智浦)
BCM3390ZKFSBG
Broadcom(博通)
LM317AMDT
TI(德州仪器)
MKL17Z64VFM4
NXP(恩智浦)
LM5575MHX
TI(德州仪器)
SAK-TC233L-32F200NAC
Infineon(英飞凌)
MAX3471EUA+
Maxim(美信)
VNH5180A
ST(意法)
MCZ33905CS5EK
NXP(恩智浦)
LM2675M-5.0/NOPB
NS(国半)
TLV320AIC3106IRGZR
TI(德州仪器)
OPA2170AIDR
TI(德州仪器)
LM2576HVT-ADJ/NOPB
TI(德州仪器)
SN74AVC8T245RHLR
TI(德州仪器)
AD9833BRMZ-REEL7
ADI(亚德诺)
DM3AT-SF-PEJM5
Hirose(广濑电机)
LFCN-80+
Mini-Circuits
BQ27421YZFR-G1A
TI(德州仪器)
STPMIC1APQR
ST(意法)
PC28F00AP30TFA
micron(镁光)
ATMEGA8535-16AU
Microchip(微芯)
MBR40250G
ON(安森美)
2N7002-7-F
Diodes(美台)
FT2232D-REEL
FTDI(飞特帝亚)
MUR1560G
ON(安森美)
IPB65R110CFDA
Infineon(英飞凌)
10M08SCE144C8G
ALTERA(阿尔特拉)
TPS3808G18DBVR
TI(德州仪器)
N25Q128A11ESE40F
micron(镁光)
LM324ADR
ON(安森美)
TJA1051TK/3
NXP(恩智浦)
ADV7511KSTZ
ADI(亚德诺)
TS5A3157DBVR
TI(德州仪器)
ACS758LCB-050U-PFF-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
TAS5630BPHDR
TI(德州仪器)
PI3302-00-LGIZ
Vicor Corporation
DM9161AEP
DAVICOM(联杰国际)
AT32F421C8T7
CW2015CHBD
CellWise
NUD3124LT1G
ON(安森美)
SN74ACT244DWR
TI(德州仪器)
STM32L496ZGT6
ST(意法)
STH2N120K5-2AG
ST(意法)
ATXMEGA16A4U-AU
Microchip(微芯)
TC358743XBG
TOSHIBA(东芝)
MFI337S3959
China(国产)
LPC1837JBD144E
NXP(恩智浦)
LFE5U-25F-6BG256I
Lattice(莱迪斯)
CD14538BE
Harris Semiconductor
R5F61668RN50FPV
Renesas(瑞萨)
S912XET256W1MAAR
NXP(恩智浦)
LM317AT
NS(国半)
ACPL-330J-500E
Avago(安华高)
LTC2174IUKG-14
LINEAR(凌特)
NRVUA220VT3G
ON(安森美)
HMC624ALP4E
Hittite Microwave
ADXL335BCPZ
ADI(亚德诺)
AD5412AREZ
ADI(亚德诺)
BSZ018N04LS6
Infineon(英飞凌)
AD7928BRUZ
ADI(亚德诺)
ADXL326BCPZ
ADI(亚德诺)
K4UBE3D4AB-MGCL
SAMSUNG(三星)
DS1302Z
Maxim(美信)
NCV7356D2R2G
ON(安森美)
TPS7A4901DGN
TI(德州仪器)
TLE42664G
Infineon(英飞凌)
AD8452ASTZ
ADI(亚德诺)
LMZ23610TZ
TI(德州仪器)
MCIMX7U5DVP07SC
NXP(恩智浦)
KSZ9031RNXIA-TR
Microchip(微芯)
TPS22918DBVR
TI(德州仪器)
INA220AIDGSR
TI(德州仪器)
TLV3502AIDCNR
TI(德州仪器)
MSP430F5419AIPZR
TI(德州仪器)
TPS3808G33QDBVRQ1
TI(德州仪器)
TPS61041DBVR
TI(德州仪器)
NC7S14M5X
Freescale(飞思卡尔)
UCC27524ADR
TI(德州仪器)
F280049CPZS
TI(德州仪器)
TPS563209DDCR
TI(德州仪器)
MUR460RLG
ON(安森美)
TPS7A8101DRBR
TI(德州仪器)
ADP151AUJZ-3.3-R7
ADI(亚德诺)
IRLML0030TRPBF
Infineon(英飞凌)
