位置:51电子网 » 企业新闻

MMBT2907ALT1G

发布时间:2023/12/7 18:17:00 访问次数:122

MMBT2907ALT1G 是一款双极性晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE

小信号 PNP晶体管

品牌:ONSEMI/安森美 封装: 引脚数:3 PIN(3000个/圆盘)

MMBT2907ALT1G的详细参数

参数名称 参数值
Source Content uid MMBT2907ALT1G
Brand Name onsemi
是否无铅 不含铅不含铅
生命周期 Active
Objectid 2037693562
零件包装代码 SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
包装说明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数 3
制造商包装代码 318-08
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 73 weeks
风险等级 0.44
Samacsys Description MMBT2907ALT1G, PNP Bipolar Transistor, 0.6 A 60 V HFE:50 200 MHz Small Signal, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7
最大集电极电流 (IC) 0.6 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz
最大关闭时间(toff) 100 ns
最大开启时间(吨) 45 ns


本公司主营二三极管,MOS管和逻辑IC等,这边有ON,ADI,ST,TI,NXP和英飞凌等一系列的原装进口电子元器件,如果你这边有需要的话,可以加上面的联系方式。

MMBT2907ALT1G ON(安森美)
TLE2142IDR TI(德州仪器)
EP4CE40F23I7N ALTERA(阿尔特拉)
TXS0102DCTR TI(德州仪器)
KSZ8795CLXIC Microchip(微芯)
MT41K256M16HA-125:E micron(镁光)
L298N ST(意法)
UCC27324DR TI(德州仪器)
GD32F407VET6 ST(意法)
STM32H743IIK6 ST(意法)
XC7Z010-1CLG400I XILINX(赛灵思)
MP1584EN MPS(美国芯源)
TCA6424ARGJR TI(德州仪器)
ST3485EBDR UMW(友台半导体)
KSZ8995MAI MIC(昌福)
L6203 ST(意法)
ATMEGA8L-8AU Atmel(爱特梅尔)
TJA1042T/3/1J NXP(恩智浦)
MK60FX512VLQ12 Freescale(飞思卡尔)
74HC4052D TI(德州仪器)
XCZU7EV-2FFVC1156I XILINX(赛灵思)
AD7606BBSTZ ADI(亚德诺)
ADR441BRZ ADI(亚德诺)
BCM89820A2BFBG Broadcom(博通)
DS125BR820NJYR TI(德州仪器)
LMZ31530RLGT TI(德州仪器)
SN65HVD251DR TI(德州仪器)
TPS62130RGTR TI(德州仪器)
EP4CE30F23C8N ALTERA(阿尔特拉)
MC33178DR2G ON(安森美)
TLV61046ADBVR TI(德州仪器)
BCX56-16 Infineon(英飞凌)
IKW40N120H3 Infineon(英飞凌)
UPD78F0849GKA-GAK-G Renesas(瑞萨)
TMP36GT9Z ADI(亚德诺)
BTN8962TA Infineon(英飞凌)
MK61FX512VMJ15 Freescale(飞思卡尔)
PCF8566T Philips(飞利浦)
LM2674MX-ADJ/NOPB TI(德州仪器)
TPS54160ADGQR TI(德州仪器)
TLV271QDBVRQ1 TI(德州仪器)
L78M05CDT-TR ST(意法)
MT25QL128ABA1ESE-0SIT micron(镁光)
SHT20 Sensirion(瑞士盛思锐)
FQD7P20TM ON(安森美)
LM339DT ON(安森美)
DSPIC30F2010-30I/SP MIC(昌福)
FIN1104MTCX Fairchild(飞兆/仙童)
FDH44N50 Freescale(飞思卡尔)
LM2574MX-5.0 TI(德州仪器)
AD8672ARZ ADI(亚德诺)
USB2514B-AEZC-TR smsc
ADS1118IDGSR TI(德州仪器)
MMA8452QR1 Freescale(飞思卡尔)
MCP4725A0T-E/CH Microchip(微芯)
VN7140ASTR ST(意法)
L78L05ACUTR ST(意法)
N25Q256A13EF840E micron(镁光)
DRV8821DCAR TI(德州仪器)
LM293DR ON(安森美)
BQ24780SRUYR TI(德州仪器)
OPA277U Burr-Brown(TI)
TPS51200DRC TI(德州仪器)
TPS7B7702QPWPRQ1 TI(德州仪器)
TMP75AIDGKR TI(德州仪器)
MAX232ESE+T Maxim(美信)
SN74LVC1G3157DBVR TI(德州仪器)
10M50DAF256I7G INTEL(英特尔)
AM26LS31CDR TI(德州仪器)
74HC4051PW Nexperia(安世)
AT89C52-24PI Atmel(爱特梅尔)
ADG419BRZ ADI(亚德诺)
LM1117IMPX-ADJ TI(德州仪器)
LM334Z TI(德州仪器)
88E1111-B2-BAB2I000 Marvell(美满)
TPS51206DSQR TI(德州仪器)
TPS63070RNMR TI(德州仪器)
OPA547FKTWT TI(德州仪器)
ISO7842DWWR TI(德州仪器)
MPXV6115VC6U NXP(恩智浦)
EPM570T144C5N INTEL(英特尔)
STM32L471RET6 ST(意法)
XC6SLX25-3CSG324C XILINX(赛灵思)
K4UBE3D4AA-MGCL SAMSUNG(三星)
ADS1015IDGSR TI(德州仪器)
INA199A1DCKR TI(德州仪器)
LM2931CDR2G ON(安森美)
TPA3255DDVR TI(德州仪器)
STM32F429VET6 ST(意法)
EPM2210F256I5N ALTERA(阿尔特拉)
EPCQ4ASI8N ALTERA(阿尔特拉)
LM339DR2G TI(德州仪器)
STM8L151K6T6 ST(意法)
OP27GSZ ADI(亚德诺)
LM5164DDAR TI(德州仪器)
TMS320VC5416PGE160 TI(德州仪器)
LM317DCYR TI(德州仪器)
TPS61021ADSGR TI(德州仪器)
TPS2H160BQPWPRQ1 TI(德州仪器)
IRFB4227PBF Vishay(威世)
VNH7100BASTR ST(意法)


上一篇:WMB018N04LG2

下一篇:EPM1270T144C5N

相关新闻

相关型号



 复制成功!