IRF540NS IRF540NSTRLPBF INFINEON英飞凌/IR功率NMOS 原厂原装
IRF540NS IRF540NSTRLPBF INFINEON英飞凌/IR 100V单个N通道HEXFET Power MOSFET, 采用TO263封装
型号：IRF540NS IRF540NSTRLPBF
厂商：INFINEON英飞凌/IR
封装：TO263
包装：800PCS/盘
批次：新年份
类型：MOS
描述：100V单个N通道HEXFET Power MOSFET, 采用TO263封装
丝印（打字）：F540NS
备注：Infineon/IR原厂原装
替代：
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 47.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
单位重量: 4 g
IRF540NSTRLPBF说明
IRF540NSTRLPBF高级HEXFETÆ功率MOSFET利用先进的处理技术来实现极低的导通电阻硅面积。 IRF540NSTRLPBF这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
IRF540NSTRLPBF特性
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
无铅
IRF540NSTRLPBF
IRF630NPBF
IRF640NPBF
IRF640NSTRLPBF
IRF200P222
IRF200S234
IRF2804PBF
IRF7103TRPBF
IRF7314TRPBF
IRF7341TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF7853TRPBF
IRF8788TRPBF
IRF9321TRPBF
IRF9388TRPBF
IRF9540NPBF
IRFB38N20DPBF
IRFB3004PBF
IRFB3077PBF
IRFB3206PBF
IRFB3207PBF
IRFB3207ZPBF
IRFB3306PBF
IRFB3307ZPBF
IRFB3607PBF
IRFB4019PBF
IRFB4020PBF
IRFB4110PBF
IRFB4115PBF
IRFB4127PBF
IRFB4227PBF
IRFB4229PBF
IRFB4310ZPBF
IRFB4321PBF
IRFB4332PBF
IRFB4410ZPBF
IRFB4615PBF
IRFB4620PBF
IRFB5615PBF
IRFB7434PBF
IRFB7437PBF
IRFB7440PBF
IRFB7534PBF
IRFB7537PBF
IRFB7540PBF
IRFB7730PBF
IRFB7734PBF
