IRF530N IRF530NPBF INFINEON英飞凌/IR功率MOS 原厂原装
IRF530N IRF530NPBF INFINEON英飞凌/IR 100V单N沟道HEXFET功率MOSFET
型号：IRF530N IRF530NPBF
厂商：INFINEON英飞凌/IR
封装：TO220
包装：1000PCS/盒
批次：新年份
类型：MOS
描述：100V单N沟道HEXFET功率MOSFET
丝印（打字）：IRF530N
备注：IOR/INFINEON英飞凌原厂原装
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 24.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
IRF530NPBF描述
IRF530NPBF高级HEXFET®International Rectifier的功率MOSFET采用先进的处理技术，实现每个硅面积极低的导通电阻。 这种优势，结合HEXFET功率MOSFET的众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种非常高效和可靠的器件，用于各种应用。
IRF530NPBF的TO-220封装通用于所有商业工业应用，功耗水平约50瓦。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业的广泛接受。
IRF530NPBF优点
符合RoHS标准
低RDS（开）
行业领先的质量
动态dv / dt额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C工作温度
IRF530NPBF应用
消费者全桥
全桥
推拉
IRF530NPBF
IRF530NSTRLPBF
IRF540NPBF
IRF540ZPBF
IRF540NSTRLPBF
IRF630NPBF
IRF640NPBF
IRF640NSTRLPBF
IRF200P222
IRF200S234
IRF2804PBF
IRF7103TRPBF
IRF7314TRPBF
IRF7341TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF7853TRPBF
IRF8788TRPBF
IRF9321TRPBF
IRF9388TRPBF
IRF9540NPBF
IRFB38N20DPBF
IRFB3004PBF
IRFB3077PBF
IRFB3206PBF
IRFB3207PBF
IRFB3207ZPBF
IRFB3306PBF
IRFB3307ZPBF
IRFB3607PBF
IRFB4019PBF
IRFB4020PBF
IRFB4110PBF
IRFB4115PBF
IRFB4127PBF
IRFB4227PBF
IRFB4229PBF
IRFB4310ZPBF
IRFB4321PBF
IRFB4332PBF
IRFB4410ZPBF
IRFB4615PBF
IRFB4620PBF
IRFB5615PBF
IRFB7434PBF
IRFB7437PBF
IRFB7440PBF
IRFB7534PBF
IRFB7537PBF
IRFB7540PBF
IRFB7730PBF
IRFB7734PBF
