封装 工作电压
输出逻辑 频率范围 产品系 列 页码 5x7mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 5MHz-200MHz BZT1 28-29 5x7mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped 5MHz-100MHz BZT2 Sinewave 30-31 5x7mm 3.3V,5V CMOS/LVDS/LVPECL/CML 10MHz-1450MHz BZT3 32-34 20x12mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped 1KHz-800MHz BZT4 Sinewave 35-37 5x3.2mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT5 38-41 3.2x2.5mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT6 38-41 2.5x2.0mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT7 38-41 2.0x1.6mm 3.3V,5V CMOS/Clipped Sinewave 6.4MHz-60MHz BZT8 38-41 5x7mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped Sinewave 1.25MHz-52MHz TH1 42-43 5x3.2mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave /Clipped Sinewave 1.25MHz-52MHz TH2 44-45 17x14mm 3.3V,5V CMOS/ Sinewave 12MHz-250MHz TLP1 46-47 温补晶振即温度补偿晶体振荡器(TCXO)，是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡 频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。本身自带温度补偿功能的石英晶体振荡器，温补晶振可分为三 个类别：直接补偿、间接补偿、数字式。温度补偿晶体振荡器电路通过附加温度补偿网络，使环境温度 变化后晶体串联回路电容反向变化，以抵消晶体此间所产生的频率一温度漂移。参见图 1 温度补偿曲线， I 为 AT 切型晶体频率一温度特性曲线，Ⅱ为晶体串联回路补偿曲线，Ⅲ为补偿后的晶体振荡器频率温 度特性曲线。根据补偿网络和所接位置，将温补晶振分为直接补偿和间接补偿晶振。 图 1 温度补偿曲线 温补晶振具有高精度、高稳定性、抗干扰、低功耗等特点，在遇到环境大幅度变化的情况，它具 备了根据本身的温度补偿电路来补偿由周围温度变化产生出的振荡频率偏差，从而为电子设备的正常工 作提供了强有力的保障。 温补晶振主要应用于高精度智能电子设备，如航空航天时钟系统、GPS 导航设备、无线通讯设备等。 BZT1系列,表贴7×5mm四脚温补晶振 产 性能参数 条件 BZT1 F 频率范围 0 F0 频率温度稳定度 _Tc 所有条件 见选型指南 T 工作温度范围 OPR 见选型指南 工作电压 (V) VDD +5.0 50 35 工作电流 (mA) I DD 输出波形 Output Wave CMOS ，Clipped Sinewave 输出负载 Output load 15pF 压控电压 0.3V(min),1.65V(std), 3.0V(max) 输出对称性 40%~60% 上升时间/下降时间 Tr/Tf 10nS Max. 抖动 Jitter 1.0pS Typ. "0"电平 VOL 0.4V or 10%VDD 输出电平 "1"电平 VOH V -0.4V or 90%V DD 削峰正弦波输出 10K Ohm (Typ) 10pF (Typ) 0.8V (Min) 产品特点： ●方波（CMOS）、削峰正弦波输出 ●可靠性高，抗振动、抗冲击能力强 ●宽的频率范围1.20MHz 到160MHz ●工作电压3.3V，5.0V ●低抖动、低相噪 ●密封陶瓷封装 应用范围： ●通信、导航、基站 ●各类传感器 ●汽车、兵器、船舶 ●测试仪器与设备 ●航空、航天产品
