SiC MOSFET 针对更高开关频率、高阻断电压和低导通电阻 (RDS(ON)) 以及雪崩能力优化。这些产品在栅极-源极电压 (VGS) 工作良好，范围是 -4 V 至 +18 V (1200 V) 和 -3 V 至 +20 V (1700 V)。这些 N 沟道 MOSFET 在以最大电压驱动时具有最佳性能。RDS(ON)温度稳定性有助于降低散热器尺寸/要求。
特性 针对更高的开关频率进行了优化 稳定的电阻温度 高阻断电压，低 RDS(ON) 对散热器要求更低 系统级效率更高 雪崩稳健性 应用 光伏/太阳能逆变器 能量存储 UPS 电机控制/驱动电路 电池充电器 车外 EV 充电器
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