碳化硅 (SiC) MOSFET 使用的技术与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸也确保了低电容和低栅极电荷。因此具有了许多系统优势，包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
由于有开尔文源极配置和较低的寄生源电感，TOLL 封装提供了更好的热性能和出色的开关性能。TOLL 提供 1 级湿度敏感度 (MSL 1)。
特性 具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装 优秀的 FOM (= RDSON* EOSS) M3S 技术：22mΩ RDS(ON)，低 EON和 EOFF损耗 15 V 至 18 V 栅极驱动 100% 通过雪崩测试 无卤素且符合 RoHS 规范 应用 工业应用
